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1.
2.
3.
TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(ResistivityCapacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。  相似文献   
4.
山东平阴铝厂实行计算机网络化信息管理后,对企业经营活动起到了很大的作用,使企业的经营变得科学、规范、合理,取得了可观的经济效益。  相似文献   
5.
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术   总被引:7,自引:2,他引:5  
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析  相似文献   
6.
低温p—Si薄膜的制备研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少。  相似文献   
7.
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 T F T 的线性近似和 Elm ore 模型, 计算了周边驱动电路中的信号失真, 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 T F T 开态电阻的要求。  相似文献   
8.
9.
氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
用等离子体增强化学气相淀积( P E C V D)制备了氢化非晶硅薄膜(a Si∶ H)并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱( I R)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ts 和射频功率 Prf 的依赖关系。  相似文献   
10.
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiN  相似文献   
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