色彩在儿童产品中的包装设计运用探寻

色彩可以直接冲击人的视觉感官,带给人不同的感受,在进行产品的包装设计时,色彩作为重要的设计元素,影响着消费者的心理,尤其是对于儿童产品的包装设计,鲜明的色彩将直接带给儿童愉悦的感受,能产生更好的营销作用,本文主要就色彩在儿童产品包装设计中的运用进行论述.     

Tb-Fe-Co磁光薄膜溅射条件对Kerr转角的影响

在实际磁光盘生产线上大都使用合金溅射靶溅射记录介质膜,而尚示有直接使用合金靶研究这些关系的报道。我们首先研究了用于磁光油射的系列合金靶,并完善了靶材制造工艺参数,且在此基础上进行了成分以及溅射参数对各种磁光性能影响的研究。首先确定了各种溅射和N2－Ar气流量下Al、Si以及Tb-Fe-Co(Mo）的溅射速率,在此基础上通过改变溅射功率和调整气汉量改变SiN的成分和厚度,在各种功率和气流量下溅射了Mo膜,并测定了这些磁光膜的Kerr线以获得Kerr转角等性能,从而探讨了溅射工艺条件对Kerr的影响。     

SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究

在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。     

Ce掺杂对TbFeCo材料磁光性能影响的研究

采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜，并在TbFeCo中引入轻稀土元素Ce，测试了薄膜的磁光性能。研究了薄膜成分对其磁光性能的影响。结果表明；在TbFeCo薄膜中掺入少量Ce时，薄膜的磁光克尔角及矫顽力都有所提高，矩形度也增加了。但随Ce掺入量的增加，薄膜的磁光性能发生恶化，较好的掺杂在10.31?左右。     

磁浮列车用铜基受电靴滑块材料的研究

研究了一种新型Cu-Sn-Pb-Cr-C受电靴滑块材料,并进行了性能测定和组织观察.结果表明:受电靴滑块材料具有优良的综合性能,其抗拉强度为138.1MPa,断口局部范围内有韧断特征;摩擦系数为0.38,其摩擦性能大大优于纯Cu;材料的电导率可达74%IACS,明显高于纯Al(60%IACS).从其微观结构可以发现,试样材料中Cu基体以连续网状形式分布,加入的石墨比较均匀地分布在网络空隙内,充分发挥了材料的导电性能及石墨的自润滑性能.     

弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长

利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.83Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错     

一种清洗用旋转喷头打击特性测试研究

介绍了一种新型旋转喷头的工作原理,并在自行建立的水射流打击测试台上测定旋转喷头在不同工况下的打击性能,最终比较出最优压力和靶距范围,对比相同功率下不同直径喷嘴的打击性能,优选了喷嘴直径,对比喷头不同转速下的打击性能,得出合理的转速范围。     

HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge组分（x=0.20）均匀而稳定．PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）．分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质．     

不同基体的灰铸铁材料性能与组织的研究

测定了三种不同基体组织的灰铸铁材料的力学性能,并且用定量金相方法测定了内部的基体组织石墨含量及贝氏体的含量并讨论了其对样品力学性能影响,讨论了组织对弹性模量、抗拉强度、抗弯强度缸体材料和性能影响.