MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择

金属有机化合物汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术是制备用于红外焦平面阵列（ＩＲＦＦＰＡ）的高质量碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺（ＩＭＰ）等因素在ＭＯＣＶＤ外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理,并选择适合的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。     

生长MCT晶体的改进型Bridgman方法：ACRT—B

本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。     

CdZnTe衬底表面结构分析

报道用ＸＰＳ研究Ｃｄ１－ｙＺｎｙＴｅ衬底经机械抛光后和化学抛光后的表面化学配比和表面结构。ＭｇＯ粉机械抛光后，表面为富Ｃｄ层，溴乙醇溶液化学抛光后，表面为贫Ｃｄ层；２－４．５ｋｖＡｒ＾＋溅射表面不导致元素的择优溅射，表面化学配比接近用电镜测量所得的体内组份值。     

用XPS进行镉的表面化学态研究

用ＸＰＳ研究了多晶纯镉置于空气中形成的表面化学态。结果表明，Ｃｄ表面上除有大量吸附碳、氧外，还形成了ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２。Ｏ１ｓ谱的最佳曲线拟合表明有三个Ｏ１ｓ分量存在，其结合能分别为５３２．７ｅＶ，５２９．６ｅＶ，５３１．３ｅＶ。他们分别是吸附氧，ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２中Ｏ１ｓ的特征。本文推断Ｃｄ先与Ｏ２反应生成ＣｄＯ，再在水汽作用下形成Ｃｄ（ＯＨ）２，表面形成的ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２薄层阻挡     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长

利用水平，常压有机金属化合物汽相外延（ＭＯＶＰＥ）装置，ＤＭＣｄ，ＤＩＰＴ及元素汞在３６０℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ衬底上按不同条件生长碲化镉，碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分，表面形态，薄膜厚度，红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。     

碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性

报道了在水平、常压ＭＯＶＰＥ实验型生产装置中,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,用金属有机化合物ＤＭＣｄ、ＤｉＰＴｅ和元素Ｈｇ,在ＣｄＴｅ和ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜,其组分和薄膜厚度的均匀性以及ｐ型电学性质,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要求,同时,这种薄膜的生长具有一定重复性。     

用XPS进行镉的表面化学研究

用ＸＰＳ进行镉的表面化学研究刘朝旺（昆明物理研究所昆明６５０２２３）制作本征Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶，需要使用高纯源材料Ｈｇ，Ｃｄ，Ｔｃ和高纯生长管，还要避免各个工艺中的污染，如避免源材料表面氧化等。根据经验，氧化物在拉晶过程中很容易与石英管...