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1.
用正交试验法优化了叠层阻燃输送带用氯丁橡胶基弹性体阻燃配方,采用直观分析法和方差分析法对实验结果进行分析,找出最佳配比,并采用热重-差热联用分析(TG-DTA)和扫描电镜(SEM)对优化阻燃配方后的弹性体燃烧热分解过程和焦烧残余物的形貌进行研究。结果表明,通过正交试验,获得阻燃最优配方为Sb2O35份、CP-70 10份、APP 9份、DBDPO 10份、BZn 25份,优化阻燃配方有效提高弹性体阻燃性能,且对力学性能影响较小,通过TG-DTA联用和SEM观察发现,添加阻燃体系可以有效抑制弹性体热分解,并能促进形成稳定紧密的炭层。  相似文献   
2.
刘焕章 《陕西电力》2010,38(2):35-38
过量空气系数是电站锅炉监测的重要参数之一,也是衡量锅炉燃烧经济性以及优化燃烧过程的重要指标。但由于各受热面的漏风以及燃烧过程自身的不完全性等原因,使得实际中难以实现对过量空气系数的准确测量。本文通过对燃烧机理的分析,构造一个关于过量空气系数的多元方程组,该方法将未完全燃烧对过量空气系数的影响纳入考虑范围。文章利用某电厂数据,对文中阐述的方法进行了验证,并与工业上常用的过量空气系数计算方法进行了理论分析和试验比较,结果证明文中方法更准确,可信度更高。  相似文献   
3.
PAN湿法纺丝工艺与纤维性能相关性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
用X射线衍射法研究了湿法纺丝过程中PAN纤维结晶结构的演变,通过测试纤维在成形过程中的沸水收缩率和强纤度的变化,并结合纤维的纺丝工艺,探究了纺丝工艺与纤维性能的相关性.结果发现,牵伸和脱除溶剂均可提高纤维的强度,牵伸可提高纤维的取向度和结晶度,干燥致密化可使纤维的取向结构和结晶结构稳定.  相似文献   
4.
用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。  相似文献   
5.
采用不同再生工艺的两套重油催化裂化装置运行效果比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
对中国石油化工股份有限公司济南分公司两套分别采用烧焦罐式高效再生工艺和同轴串联逆流两段再生工艺的重油催化裂化装置的运行效果进行了分析和比较。表明两种不同的再生工艺在各自不同的状态下 ,采用不同的操作条件时 ,均能最大限度发挥自己的特点。在加工同样性质的原料 ,使用同样的催化剂时 ,都能满足对催化剂的再生要求 (再生催化剂碳含量小于 0 .0 5 % )。同轴串联逆流两段再生工艺适应性较强、操作弹性较大、抗事故能力较强、消耗指标较低 ,但在催化剂置换率和开停工时间方面又相对处于劣势。因此选择什么工艺 ,应视具体情况而定  相似文献   
6.
LOSA-1增产轻烯烃FCC助催化剂的开发及工业应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
在中国石化济南分公司800 kt·a-1催化裂化装置上试应用了岳阳三生化工有限公司生产的LOSA-1增产轻烯烃FCC助催化剂,考察了该助催化剂催化裂化性能及其对汽油和柴油质量的影响。工业应用表明,增产轻烯烃助剂占系统催化剂总藏量4.0%时,丙烯(对催化进料)增加了1.19%,系统总液收及焦炭产率基本保持不变。  相似文献   
7.
锅炉排烟中蕴含大量的燃烧信息,对于烟气的完全分析能够得到大量有价值的燃烧数据,如燃煤组成成分等。但工业生产中,锅炉的排烟分析一般只针对硫化物、氮化物等能形成酸雨的危险气体,而二氧化碳的排放往往得不到有效的监测。同时对于中储式锅炉,入炉煤粉由于来自煤粉仓,其含湿量不易实现在线测量。文中构造一个不依靠烟气二氧化碳含量信号(燃煤水分信号,在中储式锅炉中可以迭代替换掉,而在直吹式锅炉中可以通过磨煤机的状态分析得到)的煤质实时分析模型以实现对锅炉入炉煤粉的收到基成分监测。通过数据分析证明了模型精度符合工业应用的要求。  相似文献   
8.
研究了新型阻燃氯丁胶乳的阻燃和黏合性能及其影响因素.试验结果表明,当Sb2O3的添加量为10.6份时,胶乳的阻燃性能大幅度提高;在CR中加入粘合剂RF/RA(添加量比为4:4.6)可在一定程度上提高帆布/橡胶层的黏合性能;浸渍工艺对阻燃和黏合也有一定程度的影响,且一浴浸渍异氰酸酯和环氧树脂,烘干温度为105℃,时间为10min,二浴采用15%的氯丁胶乳浸渍2次,并经过105℃预烘干和200℃快速定型,氯丁胶乳的阻燃和黏合强度最大.  相似文献   
9.
10.
高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管   总被引:5,自引:3,他引:2  
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.  相似文献   
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