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基于JTAG标准的处理器片上调试的分析和实现 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍了一种基于IEEE11 49.1标准的嵌入式处理器片上调试的方法,并以一款DSP处理器SuperV2为研究对象,通过扩充JTAG测试访问端口和指令,并在处理器内增加和修改支持调试功能的逻辑,实现了断点设置、外部调试请求和单步执行的调试功能。 相似文献
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为了方便软件与应用系统的开发与调试,提出一种可复用的微处理器片上调试方法.通过设计通用的调试指令集和增加调试模块,并扩展处理器内核功能,实现了断点设置与取消、内核运行的流水级精确控制、内核资源访问、任意程序段运行中特殊事件的统计等片上调试功能.该方法已在自主研发的SuperV_EF01 DSP上实现.在CMOS 90 nm 工艺下的综合结果表明,新增的片上调试功能不影响SuperV_EF01 DSP的关键路径时序,而芯片总面积仅增加了3.87%. 相似文献
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传统的模拟麦克风由于自身抗干扰能力差,很难满足新一代音频系统对输入端的要求,本文提出了一种数字前置放大器技术,可以与驻极体麦克风进行无缝连接,能够将麦克风产生的微弱的电信号直接转换成后续数字设计平台所需的数字信号,能够对信号进行可编程增益放大,具有面向便携式应用的宽电压摆动和低功耗设计。测试结果表明数字前置放大器动态范围达到88dB,等效输入参考噪声为5μVrms,正常工作功耗为540μW,休眠模式下消耗电流不超过10μA,与传统模拟麦克风相比,数字前置放大器构成的数字麦克风可以提供更好的信噪比、更高的集成度、更低的功耗和更强的抗干扰能力。 相似文献
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随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器.由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声.这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用.本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器.该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器.本文使用0.18μm CMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器.仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm. 相似文献
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We design a digital pre-amplifier which can be directly connected to an electret microphone.The amplifier can convert analog signals into digital signals,has a wide voltage swing and low power consumption,as is required in portable applications.Measurement results show that the dynamic range of the digital pre-amplifier reaches 88dB,the equivalent input referred noise is 5μVrms,the typical power consumption is 540μW,and in standby mode the current does not exceed 10μA.Compared with an analog microphone,an e... 相似文献
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一种用于A/D转换器的低电压CMOS带隙电压基准源 总被引:2,自引:1,他引:1
设计了一种在1V电压下正常工作的用于A/D转换器的低功耗高精度的CMOS带隙电压基准.电路主要包括了一个带隙基准和一个运放电路,而且软启动电路不消耗静态电流.电路采用0.18μm CMOS工艺设计.仿真结果显示,温度从-40~125°C,温度系数约为1.93ppm/°C,同时电源抑制比在10kHz时为38.18dB.电源电压从0.9V到3.4V变化时,输出电压波动保持在0.17%以内;电路消耗总电流为5.18μA. 相似文献