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通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低. 相似文献
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X射线回摆曲线定量检测SI—GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 总被引:3,自引:0,他引:3
本通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体(腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合,作出晶片回擂曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶片亚表面损伤层厚度D的关系曲线,建立了一种定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术,中将对这种技术进行描述并作讨论。 相似文献
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GaAs晶片化学机械抛光的机理分析 总被引:8,自引:0,他引:8
在不同条件下(系统pH值,磨粉浓度,氧化剂浓度),通过对GaAs化学机械抛光速率变化规律的研究和对晶片表面氧化层的俄联(AES)分析,探讨了H2O2胶体磨料化学机械抛光的作用过程(表面氧化十机械磨除+化学去除)和系统pH值对其过程的影响。 相似文献
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采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸收热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片。 相似文献
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通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低. 相似文献
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