硅烷馈入方式对微晶硅薄膜光发射谱和结构的影响

采用SR500光谱光度计对甚高频等离子体增强化学气相沉积本征微晶硅薄膜过程进行了在线监测,分析了硅烷不同注入方式对等离子体光发射谱和薄膜结构的影响。结果表明,采用硅烷梯度注入时,等离子体中的Hα*、Hβ*和Si H*峰强度逐步升高,且高的Hα*/Si H*比值有利于高晶化率界面层的沉积;这与采用XRD分析薄膜的结构得到的结果一致。选择硅烷梯度注入方式沉积微晶硅薄膜电池本征层,在沉积速率为1 nm/s本征层厚度为2400 nm时,最终获得了光电转换效率为7.81%的单结微晶硅薄膜太阳能电池。     

低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析

用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征.结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500 ℃之间,存在结晶最佳点,400 ℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高.     

激活能测试装置设计及微晶硅薄膜激活能测试

为了分析微晶硅薄膜的本征特性,设计了激活能测试装置。测试装置包括测试平台、真空系统和加热控制系统。同时给出激活能计算方法,并对不同电压、不同取点个数对激活能测试的影响进行分析。分析结果表明,不同测试电压对激活能测试结果影响很小,不同取点个数计算的激活能差别也很小。     

用解析模型拟合太阳电池I－V特性的实验数据

采用单指数和双指数形式太阳电池理论模型对太阳电池的Ｉ－Ｖ特性的实验数据进行拟合，其最大相对误差为０．６５％—０．２３％，均方根差为２．５ｍＡ—６．３ｍＡ。获得了重要待定参数的拟合值，拟合精度接近多项式模型的结果。     

硅太阳电池稳步走向薄膜化

考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。     

a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析

论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.     

用解析模型拟合太阳电池I—V特性的实验数据

采用单指数和双指数形式太阳电池理论模型对太阳能电池的Ｉ－Ｖ特的实验数据进行拟合，其最大相对误差为０．６５－０．２３％，均方根差为２．５ｍＡ－６．３ｍＡ。获得了重要特定参数的拟合值，拟合精度接近多项式模型的结果。     

光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型

本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。     

磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响.研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿（HQD）模型合理解释.少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高.     

直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO∶Al薄膜结构及特性的研究

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO∶Al透明导电膜,对制备薄膜的结构和光学特性进行了比较研究.研究发现:铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构;在衬底温度为100℃,溅射压强1.0 Pa,氧氩比为1∶2.58时,ZnO∶Al薄膜具有(002)择优取向,晶化也比较好,在可见光区的平均透过率分别达到了77.6%和82%.