AlxGa1-xAs三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂－柠檬酸,电共沉积ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ三元化合物,用能谱分析仪进行成分分析,获得化学计量比接近Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ的三元化合物半导体材料。     

一种高线性度CMOS混频器的设计

采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB.     

Sb/Se薄膜的晶化特性研究

对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌，发现双层膜表面出现较多的裂纹，从Ｘ射线衍射的结果和材料的热学参数分析了导致这种现象的几种原因     

磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为-10.27dBm,输出差分信号相位误差小于0.2°,增益差小于0.1。     

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积制备出ＧａＡｓ薄膜。扫描电镜和Ｘ射线衍射仪测试结果表明,薄膜成分更接近化学计量比１：１,各次试验数值分散性小,厚薄均匀。     

两段式结构赝三元材料热电模块的研究

在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块．研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功率和发电效率均比单段式结构的热电模块提高80％左右．     

Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。     

掺镁PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的秀经和发光效率高于ＰｂＷＯ４晶体。     

双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究

本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺陷的吸杂能力强;利用离子对模型所做的估算也证明了这一点,因此相对仅是缺陷吸杂而言,双吸除技术是一种具有增强吸除功能的吸除技术.