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从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AIN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了二维氮化镓(2D-GaN)平面和翘曲结构中电中性Ga空位(VGa)和N空位(VN)的形成能、能带结构及电子态特性。采用杂化泛函方法,计算了含Ga空位的2D-GaN(2D-GaN-VGa)和含N空位的2D-GaN(2D-GaN-VN)缺陷体系的电子结构。结果表明,在2D-GaN平面结构中,VN缺陷形成能量低于VGa的能量,说明VN缺陷更容易形成。在2D-GaN翘曲结构中,VGa缺陷形成能量低于VN的能量,说明VGa缺陷更容易形成。在2D-GaN平面和翘曲两种体系结构中,VGa均为受主缺陷,VN均为施主缺陷。研究结果对系统地理解2D-GaN及其缺陷模型的性质有重要意义,为发展基于2D-GaN的大功率器件、深紫外光电器件和光通信等领域提供理论参考。 相似文献
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从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响. 相似文献
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The transmitting light in GaN-based LED with 30 nm thickness metal film grating is investigated. We proposed a basic grating structure model to enhance light intensity in GaN material, which was simpler and cheaper. We calculated and analyzed the structure with different parameters, and studied the numerical simulation results of Ag-films/Al-films/Au-films. With a simple A1 or Ag basic grating structure, the 7.4-7.6 times intensity of 550 nm light can be obtained easily, and the enhancement efficiency is better than others. 相似文献
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从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响. 相似文献
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