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1.
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(tSi)的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用015 μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si) 总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225 ℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。 相似文献
2.
评价氢化物原子荧光光度法测定卤味香膏中砷含量的不确定度。方法 根据实验流程,分析实验过程中不确定度来源,评定不确定度分量,最后计算合成不确定度和扩展不确定度。结果 当卤味香膏样品中砷的含量为0.46 mg/kg 时, 扩展不确定度U=0.04 mg/kg,(k=2)。结论 氢化物原子荧光光度法测定卤味香膏样品中砷的含量时,对不确定度影响较大的是标准曲线拟合和标准溶液配制, 这两项分量占总不确定度的68.77 %;测定重复性和仪器校准次之,样品称量和试样定容影响较小。实验中要准确配制标准溶液,绘制合理标准曲线,关注线性范围,线性相关系数应大于0.997,保证检测结果的准确性。 相似文献
3.
4.
5.
6.
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。 相似文献
7.
外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V(H2SO4):V(H2O2):V(H2O)=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。 相似文献
8.
2 0年前 ,在广东神山镇一个贫穷的村庄 ,有个大学毕业的青年教师开了一个打铁铺…… ;1983年他集资承包了农机修理站 ,建起石龙五金厂…… ;1988年进入电力行业 ,建立起广州白云电器设备厂。 2 0年后的今天 ,昔日的打铁铺发展成了高新技术企业 ,2 0 0 1年被国家科学技术部授予“国家 86 3计划CIMS应用示范企业” ,形成了具有现代化管理水平和现代化管理设备的集团———白云电气集团。这位勤奋和智慧的青年教师———胡明聪先生也成了集团的董事总经理 ,广东省青年乡镇企业家协会会长 ,荣获广东省首届十大明星青年乡镇企业家、广州市第四届十大杰出青年等荣誉。在和胡总的交谈中 ,我问到企业在发展的历程中是否有传奇的故事 ,胡总告诉我说“没有 ,做企业要专注 ,不能有失误”简单的一句话 ,让我感悟到成功诚然可贵 ,但如何才能守住成功 ,避免失败 ,才是企业家最可贵的素质 ,是评判一个企业家真正成熟的标志。 相似文献
9.
预应力管桩有着单桩承载力高,桩身耐锤击性好,穿透力强,施工速度快,造价便宜等优点,在软土地基中得到了广泛的应用。本文介绍了预应力管桩处理软基的施工原理,施工质量控制,常见问题与预防措施,并结合本工程下跨塘大桥桥头软基处理方法,介绍了预应力管桩处理软弱地基的施工。 相似文献
10.
联机分析处理是一项共享多维信息、针对某些特定问题进行联机数据访问和分析的计算机技术,是OLAP网络数据信息存储系统最主要的应用。它通过对信息不同的观察形式进行迅速、稳定和可交互的存取,协助管理决策者对历史数据进行深入观察。决策数据一般是面向多维的,多维数据是决策的主要内容。 相似文献