低失调二阶曲率补偿的带隙电压基准源设计

基于斩波运算放大器的曲率补偿CMOS带隙电压基准源电路,采用了折叠式的一阶放大器,较二阶结构线路简单,功耗低,版图面积小,并能很好地满足增益要求.采用二阶电流补偿进行曲率补偿,使带隙电压基准源能达到更好的温度系数,且系统稳定.应用0.5μm CMOS Spice模型进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,输出电压为1.17V,在-20℃至120℃温度下,温度系数为4.7ppm/℃.该基准电压可根据工艺和内部电阻元件选取的不同获得不同电压值,其温度范围能够满足实际工作环境的需要.     

射频功率HBT自加热效应及补偿方法

从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。     

基于迟滞比较器的过热保护电路设计

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。     

IS-232电路中带自动关断的电荷泵优化设计

提出了一种用于RS-232电路中的升降压式的开关电容电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,在减小功耗,使泵压稳定等方面对提高电荷泵的性能做了研究。该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,达到了稳压输出;同时,通过对RS-232电路的输入端进行监测来控制电荷泵的工作,大大降低了芯片功耗。最后,经过仿真对其性能进行了验证。     

金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究

通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.     

超突变结变容管容压变化指数的研究

应用改进的超突变绿变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参起来 特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。     

SiC埋层的制备与性质研究

在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。     

两种用于SOC设计中的PCI Core的研究

PCI Local Bus是广泛使用的一种局部总线规范,也是一种工业标准。在IC设计中选择合适的PCI Core是十分重要的。文章对ALTERA和XILINX公司提供的PCI Core的功能指标、接口和参考设计作了比较,指出了两个公司PCI Core的特点。     

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）,其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联,采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时,ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时,器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃,器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．     

基于斩波调制的带隙基准电压源的设计

为提高白光LED驱动的输出精度,采用了一种基于斩波调制技术的带隙基准源.使用斩波技术,减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差,提高了基准源的精度.设计了有启动电路的偏置以确保基准电路能正常工作.该电路利用上海贝岭的0.6 μm标准CMOS工艺实现,使用Cadence公司的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明,该带隙基准输入电压可达2～9 V,输入电压3.5 V时温度系数为9.5×10-6/℃.当斩波频率为500 kHz时,此带隙基准源的输出精度比普通放大器提高了66倍,可以在高精度白光LED驱动电路中使用.