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等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。 相似文献
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本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小;当晶粒增大到约为700~800 (?)范围时,带尾趋于消失。在临近晶化温度以下范围生长的样品,低温下呈现出能隙中局域态传导特征,在临近晶化温度以上生长的样品,在低温下的传导是由多晶晶粒间界区域深缺陷能级引起的。在这两种非晶硅薄膜中含有小于200 (?)的微晶结构时,仍以非晶传导为主要特征,Mott-Davis局域态导电模型仍然适用。 相似文献
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