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1.
本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-GaAs 薄膜.文中对PECTD法的生长机理作了初步的分析.  相似文献   
2.
GD Si:H薄膜的结构和电传导性质   总被引:2,自引:0,他引:2  
用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质.  相似文献   
3.
本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.  相似文献   
4.
a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备及其性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备方法、结构以及在光学方面的量子尺寸效应.  相似文献   
5.
①用Si H_4+HF混合气氛制备a-Si:F:H合金膜:在国内SiH_4和HF皆有商品供应,容易获取.而且在辉光放电系统中Si H_4的分解要比Si F_4容易.因此,采用SiH_4+FH混合气氛为制备a-Si:F:H合金膜的原料是可行的.在全不锈钢系统中使用r·f辉光放电技术,为了获得均匀的薄膜对气流通入的形式做了必要的改进.  相似文献   
6.
等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。  相似文献   
7.
本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小;当晶粒增大到约为700~800 (?)范围时,带尾趋于消失。在临近晶化温度以下范围生长的样品,低温下呈现出能隙中局域态传导特征,在临近晶化温度以上生长的样品,在低温下的传导是由多晶晶粒间界区域深缺陷能级引起的。在这两种非晶硅薄膜中含有小于200 (?)的微晶结构时,仍以非晶传导为主要特征,Mott-Davis局域态导电模型仍然适用。  相似文献   
8.
晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。  相似文献   
9.
本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)~10~(-3)cm~2/V.s。讨论了a-GaAs薄膜材料组分配比的变化对其电学性质的影响及薄膜的热退火特性。  相似文献   
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