高温热氧化中SiO2层厚度的控制研究

本文介绍了Si热氧化的工艺过程和温度曲线,对热氧化生成的SiO2层厚度进行了理论计算和实际测定;并列出了７个ＳiO2样品的干,湿氧时间,理论计算值,实测值及产生的误差值,多数样件可控制在１５％左右（最优达７０％）;介绍了控制干,湿氧不相互干扰的管路系统,稳定水浴湿度９５℃的方法,分析了影响ＳiO2层厚度的石英管口径及氧气流量等因素。     

H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.     

法向光电子衍射曲线类原子强度I_0的选取

本文对实验法向光电子衍射曲线的Fourier变换中类原子强度I_0选取的三条原则作了探讨,并用来确定了吸附系统C(2×2)S(1s)/Ni(001)实验法向光电子衍射曲线的I_0及Fourier变换函数X(k)。由Fourier变换所得到的表面结构常数d_⊥与LEED的结果一致。在相当大的能量范周内将I_0的数值改变10％,Fourier变换的峰值位置移动不大。     

硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构

本文用Xα-SW法研究硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构.计算结果表明杂质在硅晶体的禁带中引起深能级.和硅中间隙式3d过渡金属杂质的电子结构相比较,我们得到以下两个重要结论:(1)硅中间隙式4d和3d过渡金属杂质性质有类似的化学趋势;(2)发现Pd杂质原子的4d电子态受到周围晶体场作用所产生的位于价带中的成键态dt_2和de(价带中的共振态)有异常大的能量差,即受到很大晶格场劈裂.     

提高梳状一维PSD性能的研究

梳状一维位置敏感探测器是一种高精度的位置敏感探测器PSD(Position Sensitive Detector).反向击穿电压是PSD器件的关键性能参数之一,目前国内的此类产品普遍存在反向击穿电压较低.为了改善PSD的技术性能,详细分析了梳状一维PSD反向击穿电压低的原因,并提出了几条有效的改进措施.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究

用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下，Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律，并根据所得的Ee、Eh和Eb数据，计算出激子吸收峰的Stark移动。计算结果显示，随着外电场强度和 量子阱宽度的增大，量子Stark效应变得更为显著，本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较，当阱宽等于9nm，电场为100kV/cm时，两者符合得较好。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器

研究了Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱Stark效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性,包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱,指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度,及可能的应用前景。     

二维PSD的结构和性能分析

从二维ＰＳＤ的结构和性能的比较出发，对枕型结构ＰＳＤ的性能作了理论上的推导和分析，此由得到的结论和现有的实验结果相符。     

多层结构磁光记录介质的优化设计

本文提出了一种利用导纳特征矩阵计算多层结构磁光记录介质光学特性的方法。利用这种方法可方便地得到包含有一层或多层磁光薄膜的多层结构的反射率R,克尔角θ_k及椭圆度ε_k。此外,本文还构造了一个设计多层结构磁光记录介质的评价函数,并运用统计试验法对几种常见的多层结构进行了优化设计。     

位敏探测器表面反射损耗的优化

本文通过计算SiO2单层以及SiO2和Si3N4组成的双层减反膜对不同波长的反射率,给出了位敏探测表面反射损耗的优化。