CMOS电路的动态辐射效应

本文研究了CMOS电路在电子辐照下阈电压的漂移与栅偏压、辐照剂量、电子能量的函数关系。同时对无钝化膜和用Al_2O_3、SiO_2、Si_3N_4钝化的CMOS电路的辐照效应进行了比较。     

钝化膜晶体管的电子辐照效应

本文介绍了Al_2O_3单层钝化膜及Al_2O_3-SiO_2双层钝化膜掩蔽下的外延PNP-3CK2型开关晶体三极管,在高能电子辐照下性能变化的情况,并与无膜管子的辐照情况作了对比。     

氮杂环鎓盐协同辐射引发阳离子聚合研究

研究了氮杂环鎓盐协同γ射线引发氧化环己烯阳离子开环聚合反应。在研究阳离子聚合阻聚剂、不同气氛条件及聚氧化环己烯分子量和分布后，认为在反应体系中鎓盐氧化射线产生的自由基成为阳离子，并向体系贡献弱亲核性阴离子而引发氧化环己烯阳离子开环聚合。讨论了不同极性溶剂对该聚合反应的影响，同时初步研究了引发此聚合反应活性中心。     

提高氧化物介质膜层损伤阈值的研究

采用新清洗工艺对K9玻璃基片进行了清洗,镀制了多种氧化物介质膜,镀膜后的膜层损伤阈值比一般清洗要高出一倍多。用等离子体光法和相衬显微镜观察法相结合来判断损伤,分别用1-on-1测试法和R-on-1测试法确定了膜层的激光损伤阈值。     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.