基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.     

基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器

在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.     

应用遗传算法提取GaAs场效应管小信号模型参数

利用阻抗矩阵法求出GaAs场效应管的小信号等效电路S参数,并提出应用遗传算法提取等效电路模型参数.该法具有收敛快速、精确度高的特点,使各个模型参数均能得到较为精确快速的提取.     

X-波段混合集成平衡I-Q矢量调制器

在介电常数为2.20±0.02,厚度为254μm的Rogers5880衬底上用混合集成技术制作了9.5～10.5GHz平衡,I-Q矢量调制器.测试结果表明:各状态插入损耗为(7.5±1)dB,回波损耗大于16dB,均方根(RMS)相位误差小于5.,各状态之间的幅度不平衡小于0.5dB,可实现对9.5～10.5GHz载波信号的直接QPSK调制.文中还提出电路性能优化的一些方法.     

毫米波雷达四元微带双天线阵的研制

本文介绍了一种应用于收发分离体制毫米波雷达前端的小型微带阵列双天线.双天线包含两个四元并馈微带天线阵,共置于直径为18.6毫米的圆形衬底上,分别作为雷达前端的接收和发射天线.前端电路采用自行研制的毫米波雷达MMIC套片,利用MCM技术集成在与天线共型的圆形衬底上,与天线以背对背方式连接,采用小孔耦合技术进行场耦合.经过对天线和整个前端的测试,收发天线提供了10.5dB的增益,两天线问的隔离度优于-34dB,雷达前端具备良好的收发性能.     

基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.     

基于倒扣技术的Ka波段环形混频器

给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(R ogersDuro id3010,rε=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5 GH z有9 dBm的功率输入时,混频器有7 dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5 dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5 dB和31 dB的隔离度。