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介绍国家自然科学基金2000年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向,并附2000年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科学家参考。 相似文献
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国家自然科学基金2000年半导体学科申请概况分析 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍国家自然科学基金 2 0 0 0年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向 ,并附 2 0 0 0年半导体学科批准资助的面上及重点项目 ,供有关科学家参考。 相似文献
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本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应.实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的.除了核准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1~2个数量级;经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D-中心引起的.光照引起浅态减少,深态增加,引起了隙态重新分布. 相似文献
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