首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  免费   0篇
  国内免费   7篇
无线电   7篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  1997年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
介绍国家自然科学基金2000年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向,并附2000年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科学家参考。  相似文献   
2.
国家自然科学基金半导体学科2001年项目概况分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及2001年半导体学科基金申请与资助概况,并附2001年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.  相似文献   
3.
我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅(a-Si:H)带隙态密度及其分布的亚稳变化效应.实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中,它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系.首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置,这类缺陷具有易产生和难退火的特点.定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系.  相似文献   
4.
研制出a-Si:Hpin型X-射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(Csl)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm2、1.6×1.6mm2和100×100μm2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1e-12A/mm2(-10mV),光灵敏度~0.35μA/μW(600nm).本文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.  相似文献   
5.
国家自然科学基金2000年半导体学科申请概况分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
何杰  夏传钺 《半导体学报》2001,22(4):526-528
介绍国家自然科学基金 2 0 0 0年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向 ,并附 2 0 0 0年半导体学科批准资助的面上及重点项目 ,供有关科学家参考。  相似文献   
6.
简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及2001年半导体学科基金申请与资助概况,并附2001年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.  相似文献   
7.
本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应.实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的.除了核准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1~2个数量级;经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D-中心引起的.光照引起浅态减少,深态增加,引起了隙态重新分布.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号