金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

以氢气稀释的硅烷（SiH4）和硼烷（B2H6）为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.     

柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.     

非接触式红外测温的研究

对非接触式红外测温作了综述,介绍了红外测温的意义、原理、方法,探测器以及红外测温的自动化。     

ZnO纳米棒水热法生长与表征

采用两步法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米棒,首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO晶种层,然后把有ZnO晶种层的FTO衬底放入盛有生长溶液的反应釜中利用水热法制备ZnO纳米棒.研究了生长溶液的浓度、生长温度和生长时间对所制备的对ZnO纳米棒阵列的微结构和光致发光性能的影响,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长,纳米棒的平均直径约为100 nm,长度约为2.5 μm.所制备的ZnO纳米棒在390 nm附近具有很强的紫外发光峰和在550 nm附近有较弱的宽绿光发光峰.     

热处理对电沉积制备CuInGaSe2薄膜的影响

CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视．采用Mo／钠钙玻璃衬底为研究电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系，在钼／钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜．分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响，结果表明：当热处理温度为450℃时，所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比，薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀和致密性较好．     

ITO薄膜的制备工艺及进展

对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行描述.介绍各种制备工艺的优点及在今后的研究中要解决的问题.     

取盲孔中的轴承

更换装在轴承座里的旧轴承是比较困难的,使用图示这种开槽心轴就方便多了。心轴由冷轧钢棒料制成,其一端直径稍大于要拔取轴承的内径,另一端车削到约比轴承内径小0.001～0.002英寸,在棒料轴向钻一个精密孔,在车好的端面上钻60°锥口孔并用锯齿刀开割一条槽,长约1英寸,然后,在六角头螺栓或内六角螺栓头下面车成60°角,螺栓的长度要足以能穿过整个心     

热释电系数自动测试系统的研究

介绍了铁电薄膜材料热释电系数的测量原理和电路,着重设计了PA级前置放大电路,并对PLT铁电薄膜样品进行了测试。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料

电沉积法制备CIS薄膜因具有可实现大面积制备,成本低,制备效率高以及污染小等优点而得到了重点研究,是最有应用前途的薄膜太阳能电池材料之一.概述了电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料的原理、制备工艺,同时介绍了CuInSe2薄膜太阳能电池材料的发展概况.