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氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点.概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状.详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果.归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标.最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议. 相似文献
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分析了硬盘数据访问机制,以及流媒体文件的特点和服务质量(QoS)要求,并在新的ATA/ATAPI流命令基础上,定义并实现了一种具有Qos特性的流文件系统,该文件系统在支持流媒体文件优先级和速率控制的同时,保证了软件架构的合理性。 相似文献
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文章通过对有源倍频器的工作原理、设计及综合方法进行了探讨。结合现有的多种计算机设计软件进行优化,对相关电路进行了深入的研究,并对传统电路进行了改进,设计出能满足航天工程需要的有源高次高可靠宽带倍频嚣。该倍频器同时能广泛应用于微波通信、移动通信、卫星通信及卫星定位系统中。主要优点有:1.体积小,重量轻;2.谐杂波抑制度高;3.功耗小:4.易于调试,便于规模生产。 相似文献
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