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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论. 相似文献
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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论. 相似文献
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本文介绍了利用计算机ISA、PCI总线和打印机接口设计密码电路,基于CPLD设计密码电路,具有加密性能好的特性,通过并行打印机接口设计一个密码电路,密码存储在电路中,通过操作接口读取密码,ISA总线可以直接读取电路密码。PCI总线可以通过W89C940af对密码电路进行操作,读取设置密码。 相似文献
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孙慧卿 《水力采煤与管道运输》2019,(2)
为了提升矿井安全管理的水平,防控生产事故的发生,选取忻州窑煤矿作为研究对象,对矿井提升司机的行为安全管理情况进行记录,并分析和比较观测结果。研究结果表明,实施行为干预方法后,忻州窑煤矿的安全管理水平提升了约23个百分点,矿井提升司机测试过卷开关、提升发信号、检修时闭所装卸载系统三项关键行为得到了有效控制,行为安全管理为预防矿井提升事故发生提供了保障。 相似文献
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一种实用的仪表自动量限转换电路 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了利用逻辑和模拟电路实现自动量限转换的电路和方法,利用A/D转换器的特性设计了一组自动升、降量限电路,具有逻辑锁存功能,功耗低,电路结构简单,性能稳定等特点。 相似文献
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压力传感器及误差补偿 总被引:10,自引:0,他引:10
介绍了压力传感器、变送器、智能压力传感器,对压力传感器的零点漂移、压力灵敏度、非线性误差进行补偿。设计了压力变送器、温度变送器、A/D转换器和单片机电路。较好地补偿压力传感器的误差,提高测量精度一个数量级别,达到测量精度0.1%±1字。 相似文献