排序方式: 共有33条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 ps 相似文献
3.
4.
5.
6.
以超声速气流冲击轴线与来流方向相一致的带有金属泡沫多孔前置体的实体圆柱为研究对象,采用连续尺度单区域法数值模拟泡沫多孔前置体内部的流场及气动热效应。多孔域阻力特性基于分布阻力法加入,选用局部非热平衡模型,考虑流体相与固体相的传热温差,并通过Rosseland扩散模型加入固体相的辐射热效应。研究发现,在模拟气流工况下前置有一定长度的柱状泡沫多孔材料可显著降低模型激波阻力和前缘气动热效应,此外相对于气动压缩效应对温度场的影响黏性耗散效应较小。 相似文献
7.
8.
9.
10.