Bi-Te-Se热电薄膜的电化学沉积

在含有Bi 3＋、HTeO2＋、Se4＋离子的水溶液中通过电化学方法实现了Bi2Te3-ySey热电薄膜沉积,研究了电沉积Bi2Te3-ySey的阴极极化曲线及热电薄膜的生长过程,通过电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）等手段对热电薄膜进行了形貌、成分分析。结果表明电解液的离子组成、沉积电位对薄膜成分、形貌有较大影响。在-0.07V沉积电位下制备的热电薄膜Bi2Te2.75Se0.95晶粒大小均匀,结构致密。     

基于Mie理论的微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究

提出了一种基于瑞利散射定律及米氏理论(Rayleigh & Mietheory)的、在垂直于入射光方向接收散射光以极大提高衬度来检测材料内部微纳米级体缺陷的无损检测新途径,叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与实验研究,验证了理论的正确性及方案的可行性,说明利用光散射测量微纳米级体缺陷是可行的,进而为下一步的激光扫描层析技术(LST)打下了基础。     

分焦平面偏振图像传感器偏振主轴方向的标定

分焦平面偏振图像传感器的偏振主轴方向对后续使用斯托克斯矢量进行偏振参数解算的结果准确性有重要影响。为了标定该类型传感器,提出一种基于测量分焦平面偏振图像传感器中各偏振主轴方向像素输出平均值所拟合曲线相位差的方法,并对该方法进行了仿真与实际测试。控制照射到传感器表面的线偏振光,按照设定步长旋转若干周期,传感器同时拍摄图片。选定图片的感兴趣区域,并对该区域内同偏振主轴方向的像素值求平均,获得各偏振主轴方向像素平均值随旋转角度变化的序列。使用傅里叶级数拟合法对各序列进行拟合,获得像素输出值随旋转角度变化的表达式。选定一个偏振主轴方向为基准方向,其他偏振主轴方向为该方向表达式与基准方向表达式的相位差。实际测试结果表明:标定值与名义值相差不超过0.1°。该方法的标定精度高、可操作性好,能够较好地完成分焦平面偏振图像传感器偏振主轴方向的标定任务。     

长焦距TDI CCD遥感器光学系统研究

介绍了国外有关长焦距TDI CCD遥感器的研究情况,结合实际的设计经验,系统地阐述了此类系统的特点和其可选的光学系统结构型式的特点,总结出长焦距TDI CCD遥感器光学系统的发展趋势。     

反馈弥补激光能量传输中部分反射镜反射损失

激光能量传输中的光电池表面通常覆盖有一层部分反射镜,用于产生反射光信号,实时控制接收端的光功率大小以及调整发射端和接收端的对准度.部分反射镜会降低能量传输效率,提出了一种反馈式能量传输方式,建立了理论模型,推导了激光器输出功率表达式.从表达式中可以发现反馈激光可降低激光器的阈值电流,提高激光器的输出功率.通过实验测量了反馈和无反馈时激光器的阈值电流和输出功率,实验结果表明相比较于无反馈情况,反馈作用使激光器的阈值电流降低了25％,驱动电流为60 mA时,输出功率提升了10％.实验还比较了反馈情况和无反射镜情况下的输出功率,结果表明,反馈作用将反射镜的反射损失从10％降低到了3％,弥补了反射镜的反射损失,提高了激光能量传输效率.     

谐振式隧穿磁强计的理论研究

分析了隧道扫描显微镜和隧穿磁强计的区别,认为隧穿磁强计的隧尖不需要也不应该过尖.研究了隧道间隙和隧道电流的关系.研究表明,虽然按照隧道效应理论,隧道间隙和隧道电流应该成指数关系,但对隧穿磁强计而言,其隧道电流和隧道间隙的关系可以近似看作线性关系.推导了谐振式隧穿磁强计的灵敏度计算公式.     

MEMS器件中的微体缺陷检测研究

为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测，在研究广义洛仑兹-米氏散射理论的基础上，针对硅基材料和MEMS器件的物理特点，对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真，提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法，并通过实验验证了该方法的有效性。     

特征提取在近红外激光检测半导体内微缺陷中的应用

提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法。在研究广义洛仑兹－米氏理论（Generalized Lorenz-Mie Theory）的基础上，通过对理论上散射光强分布的分析，近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提取为判定半导体材料缺陷大小的判缺，依据这一判据，可以快速的判定微体缺陷的大小。并通过对GaAs样品进行了实验研究，证明了该方法和判据的有效性。     

特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.