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1.
在潮湿的日子或者在气温低的季节,玻璃很容易起雾,降低玻璃的透明度。对于汽车或列车的玻璃,起雾后会影响驾驶员的视线,增加引起交通事故的风险。对于车内的乘客,玻璃起雾则使其无法欣赏窗外的风景。本文为了解决上述的不便,开发了一款防雾玻璃清洁剂,能够在玻璃上喷涂一次后不留水痕不起雾,具备一定的耐冲刷能力,并且该配方在长期储存中能保持稳定。 相似文献
2.
为了提高深水炸弹引信传爆序列的可靠性,设计了两种方案的传爆序列结构,其中方案Ⅰ是典型的垂直式传爆序列结构,方案Ⅱ为改进型搭接式传爆序列结构。应用非线性有限元软件AUTODYN对两种方案的传爆序列的可靠性进行了数值模拟分析,结果表明:方案Ⅱ提高了传爆的可靠性,缩短了爆轰波稳定转向的时间,对装药间隙值的控制要求相对较低。通过高温、低温和常温环境试验对比分析了两种传爆序列结构的传爆可靠性,结果表明:方案Ⅰ的传爆率为87%,而方案Ⅱ传爆率为100%,方案Ⅱ相比方案Ⅰ传爆率提高了13%。 相似文献
3.
4.
正早在奥运前夕,关于日化企业奥运营销的话题已经被讨论的沸沸扬扬。四年一度的奥运会,绝对是人们关注的焦点,能够借助奥运会这一举世瞩目的平台赢得观众的眼球,无疑是品牌效益最大化的手段。因此,2008年借主场之力,立白企业集团拿下了北京奥运会洗涤用品供应商的资格。伦敦奥运会中国的本土日化企业也不甘示弱,准备在这场奥运大战中分得一杯羹。自然堂 相似文献
5.
A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm2 in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point. 相似文献
6.
This paper presents a millimeter wave (mm-wave) oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition (LS) technique breaks through the limit of cut-off frequency (JET), and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density. 相似文献
7.
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的8 nm基区n-InGaP/P+-GaAs/n-InGaP负阻双异质结晶体管(NDRDHBT).该器件显示出基极电压VBE调制的"∧"型负阻集电极电流IC-集电极电压VCE特性,电流峰谷比(PVCR)趋于无穷大;表征基极电压调制电流能力的峰值电流跨导ΔIP/ΔVBE高达11.2 ms;击穿电压达到12 V,可用于高频振荡调制和高速数字电路. 相似文献
8.
针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570~2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16 dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm。该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定。 相似文献
9.
10.