能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其特性研究

采用磁控溅射(DMS)和能量过滤磁控溅射(EFDMS)技术在玻璃衬底上制备ITO透明导电薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻仪、椭偏光谱仪等对薄膜的性能进行表征和分析,初步探讨了EFDMS技术的成膜机理。研究发现与DMS技术相比,EFDMS技术可有效降低薄膜的表面粗糙度,并且薄膜光电性能有一定改善。     

Al2O3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响

采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。     

若丹明6G分子反斯托克斯荧光温度效应

用２０毫瓦氦氖器作为激发光源，研究了若丹明６Ｇ水溶液反斯托克斯荧光谱。反斯长克斯荧光强度随溶液温度有强烈依赖关系。当温度由２３℃升高到４３℃时，反斯托克斯荧光强度增加三倍。根据热平衡分布规律讨论了反斯托克斯荧光强度与温度的依赖关系。     

ZnO薄膜发光特性的研究进展

ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用极为广泛。针对ZnO薄膜的发光特性,对ZnO薄膜的制备、影响其发光特性的因素及其发光机理的研究进展进行了综述。     

基于开关选通控制网络的FED驱动电路设计

基于开关控制技术提出了一种开关选通电流型FED驱动电路。该驱动电路包括FET开关选通电路、数字视频锁存电路及PWM调制转换电路等部分,开关选通电路每8路构成一组,各组同步工作,既减少了电流源数量又保证了PWM脉冲有较大的占空比,PWM信号最大脉宽可达TH/8。采用本驱动电路使得在一行内只有1/8的像素数同时导通,有效降低了行扫描驱动电路的输出电流和功耗,同时相邻阴极依次导通减弱了极间电容影响,有利于改善PWM调制性能。     

电铸金刚石-镍复合膜微观应力分析

用电铸方法，采用低应力电镀液，研制出了金刚石-金属复合膜。该复合膜的厚度为20-45μm，可用于制作超薄切割刀具。介绍了用X射线衍射法（xRD）测量多晶体微观应力的基本原理和用X射线衍射法测量镍多晶体显微应变的程序。用单波法计算了电铸金刚石-镍复合膜的显微应变，并用扫描电镜（SEM）观察了该复合膜的表面形貌。结果发现：阴极电流密度严重影响复合膜的显微应变，在实验所用电流密度范围内（0．6-3．5A／dm^2），随着电流密度的增加，显微应变减小。     

C60作为石英衬底过渡层汽相生长金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＷＰＣＶＤ），以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英（ＳｉＯ２）衬底表面，首次在等离子体预处理中，无衬底负偏压条件下，生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表面为（１００）晶面。     

非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman光谱分析了该薄膜的结构 ,并研究了薄膜场致电子发射特性 ,阈值电场为4 6V μm ,当电场为 9V μm时 ,电流密度为 5 0 μA cm2 。     

CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

采用激光Raman散射分析法对CVD金刚石膜的生长过程进行研究 ,讨论在金刚石膜生长的不同阶段 ,膜内金刚石和非金刚石成分的相对含量及其残余应力的变化情况