半干法焦化废水用于烟气脱硫技术机理初探

半干法焦化废水用于烟气脱硫技术，对工业企业烟气脱硫及含氨废水处理具有一定的借鉴作用。     

新建矿西风井风道冻结施工技术

1.工程及地质概况新建矿西风井系立井,风道与井筒相通,风道从井中到地表上第一个沉降的水平距离为27.361m,其立面呈倾斜状,有两段圆弧和一段直线,相互连接而成。西风井井口绝对标高 26.2m,风道在井筒段入口位于绝对标高 16.28~ 21.38m之间,横断面为方形,净宽4m,净高4.2m。支护形式为双层钢筋混凝土结构,设计混凝土强度为C30,顶板混凝土厚度为300mm,两墙混凝土厚度为500mm,底板为200mm厚混凝土垫层,300mm厚钢筋混凝土。风道设计位置在绝对标高 26.5￣ 15.3m之间。根据风道地质柱状图,4m厚的涌砂层在绝对标高 22.9￣ 18.9m之间,正好在风道范…     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

关于发芽箱换热系统的探讨

制麦车间空调系统是由制冷机、通风机、表冷器、水管路、风道等组成，由于表冷器易堵塞，且换热系数不好，致使麦温无法控制，严重影响麦芽质量，为此我对各种换热系统进行分析、比较，确认采用喷淋冷却效果较好，结合麦芽车间发芽箱空调系统的实际情况，提出了相应的改造方案如下。     

背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格，激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作. 用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构，电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好. 在透射电镜图中看到了Al, Ga原子的聚居点，这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点. 同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形，这是外延生长导致的.     

消息传递并行环境中全文换操作的发送接收序

传统的全交换操作实现未考虑消息的发送接收序对进程阻塞数目的影响.本文通过理论推导,证明其将导致单进程平均阻塞数、单进程最大阻塞数、所有进程平均阻塞数、所有进程最大阻塞数的量级分别为O(logN)、O(N)、O(NlogN)、O(N2);接着按优化程度提出了三种改进的发送接收序:任意发送层次接收、单一集中控制、层次多集中控制,其中层次多集中控制的后三个参数的量级分别减少至O(logN)、O(N)、O(N).     

AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性

在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,金属-半导体金属(MSM)结构的I V特性曲线保持良好的对称性,但C V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.     

Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process

A new layer transfer technique which comprised double bonding and a step annealing process was utilized to transfer the GaN epilayer from a sapphire substrate to a Mo substrate. Combined with the application of the thermal-stable bonding medium, the resulting two-inch-diameter GaN template showed extremely good stability under high temperature and low stress state. Moreover, no cracks and winkles were observed. The transferred GaN template was suitable for homogeneous epitaxial, thus could be used for the direct fabrication of vertical LED chips as well as power electron devices. It has been confirmed that the double bonding and step annealing technique together with the thermal-stable bonding layer could significantly improve the bonding strength and stress relief, finally enhancing the thermal stability of the transferred GaN template.