多晶硅薄膜应力特性研究

本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果,用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明,ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力,其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛,减小其内应力,并可使其转变成为本征张应力,以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求     

反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究

本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。     

离子注入多晶硅的电子束退火

本文介绍利用扫描电子束对离子注入掺杂磷的多晶硅进行退火、研究退火条件对多晶硅载流子激活率,迁移率和结构的影响,并与热退火进行了对比。实验结果表明电子束退火的多晶硅载流子激活率比热退火有明显提高,薄层电阻率也有所降低。     

反应溅射TiWyNx薄膜扩散势垒特性研究

本文利用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＥＳ，ＳＥＭ和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的ＴｉＷｙＮｘ薄膜的组份，结构和扩散势垒特性，实验结构表明，膜的组份，结构和特性受溅射时Ｎ２流量影响和溅射功率的影响，这种ＴｉＷｙＮｘ膜经５５０℃３０分钟退火后，仍能有效防止Ａｌ－Ｓｉ扩散，从而改善了Ａ１－ＴｉＷｙＮｘ／ＣｏＳｉ２／Ｓｉ浅结接触的热稳定性。