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1.
这是一篇68米~2断面的大峒室的施工总结。介绍了施工方案的比较,掘进和锚喷支护施工顺序和施工方法,也指出施工应注意的一些问题。 相似文献
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水分胁迫下施氮量对烤烟生理特性及化学成分的影响 总被引:5,自引:3,他引:2
采用盆栽试验研究了水分胁迫下施氮量对烤烟生理特性及化学成分的影响.结果表明,在中度干旱下(相对含水率50%)随施氮量增加,烤烟根系活力增强,叶片脯氨酸含量、超氧化物歧化酶(SOD)活性及光合速率明显升高,丙二醛含量无明显差异;轻度干旱条件下(相对含水率65%),烤烟团棵期和成熟期缺氮或氮素水平过高,烤烟根系活力、SOD酶活性及光合速率均明显降低,丙二醛含量增加,脯氨酸含量变化不大,在烤烟旺长期和现蕾期烤烟根系活力、SOD酶活性,丙二醛及脯氨酸含量均随施氮量增加明显升高.在中度和轻度干旱下随施氮量增加,上部叶和中部叶总氮、烟碱及蛋白质含量呈增加趋势,总糖、还原糖含量呈下降趋势,糖碱比、氮碱比、施木克值以纯N 7 g/株的中氮肥处理较合理.在同一施氮水平下,中部叶和上部叶总糖和还原糖含量随着土壤含水率的增加而增加,烟碱、总氮以及钾含量均有所降低,糖碱比、氮碱比、施木克值以轻度干旱较适宜. 相似文献
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在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上。用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见,在1520nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光(PL)谱未见发光。可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好。是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法。 相似文献
7.
在电站运行中发现利用前池边坡溢流的方案不可行,加上施工质量不高,前池左岸墙位移,直接威胁电站安全。对前池左岸边坡及墙后溢流地段进行了综合整治,设置溢流段,满足正常发电时两台机组突然停同时的溢流消除了工程隐患,抬高了运行水位,提高了电站经济效益,获得了较长久的收益。 相似文献
8.
Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c平面上外延生长的Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质.室温下随着Mg浓度增加,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动.研究了样品紫外发光的起因,将Mgx Zn1 - x O合金薄膜的发光归结为束缚激子的复合.在Mg0 .0 8Zn0 .92 O/ Zn O样品中,观察到了分别来自于Zn O层和Mg Zn O盖层的发光和吸收,并将其归因于来自Zn O层的自由激子和Mg Zn O盖层的束缚激子发射 相似文献
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