掺锗InSb单晶拉制方法的改进

<正> 掺锗锑化铟单晶的杂质浓度对制造光导锑化铟探测器来说,是一个重要参数。因而在拉晶工艺中控制杂质的掺杂量,使晶体的杂质浓度满足要求值是必需的。因此,本实验首先确定了锗在锑化铟中分布系数K值的范围,然后试验了一种更简便的控制杂质浓度的拉晶方     

160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制

报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件.使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术.在77 K时测试,器件的平均峰值探测率D*λ=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm.器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%.     

双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制

采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱，研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术，在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺，二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时，对量子阱红外探测器测试，得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ*=（1.61～1.90）×1010 cmHz1/2W-1和（1.54～2.67）×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7~3.8) μm和8.3 μm。     

智能图形化事故分析系统的开发和应用

介绍了智能图形化事故分析系统的开发及应用过程，并阐述了系统的重要性及其推广价值。     

热工压力标准实验室建设的影响因素探讨

介绍了热工压力标准实验室建设的基本要求;针对热工压力实验室建设中存在的问题,通过对建设中设备、人员、档案室管理,对标准的理解及环境等影响因素的分析,提出在建设过程中要充分考虑各方面因素,制定预防措施,及时处理问题,以保证量值传递准确可靠。     

分子束外延碲镉汞薄中VODI缺陷的研究

ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷进行了 形貌，剖面观测和能谱分析。     

福建省水资源中长期开发利用和管理

通过对福建省水资源概况和开发利用现状的分析和未来2000年、2010年水平年的供需分析和开发利用展望,从工程措施和非工程措施两方面提出了我省水资源中长期合理开发利用和管理规划。     

火电厂实现厂级生产过程自动化的分析与探讨

针对我国电力改革的形势，阐述了AGC控制到厂和电厂经济负荷分配的必要性和可能性，并提出了建立厂级监控系统的几点建议。     

热工压力标准实验室建设的影响因素探讨

介绍了热工压力标准实验室建设的基本要求;针对热工压力实验室建设中存在的问题,通过对建设中设备、人员、档案室管理,对标准的理解及环境等影响因素的分析,提出在建设过程中要充分考虑各方面因素,制定预防措施,及时处理问题,以保证量值传递准确可靠。     

128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列

研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列，它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列. 77K时，器件的平均黑体响应率Rv＝2.81e7V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28e10cm·W-1·Hz1/2，峰值波长λp=8.1μm，器件的盲元率为1.22%.