延吉盆地膨胀性软岩边坡雨季表层滑塌稳定性分析

在对延吉盆地膨胀性软岩边坡雨季表层滑塌特征分析的基础上，对该地区岩体的抗剪强度特性进行了研究，对降雨影响边坡稳定的根本原因进行了分析，提出了滑坡治理的具体措施。     

硅酸钾和正硅酸乙酯在土遗址加固中作用的研究

硅酸钾（PS）与正硅酸乙酯（ES）是两类主要的土质加固剂.为检验不同加固剂对土遗址的加固能力,选择两种不同含水量的土样进行测试.采用SEM对加固土样进行了分析,讨论了加固剂对土样的加固机理.结果表明：5%的PS有好的加固效果,经过加固的土样颜色变化小,土样的力学强度得到提高,具有耐水、耐冻融、耐温度、耐湿度变化能力,证明这种材料可用于土遗址的加固保护.     

不溶性偶氮染料防印活性染料

活性染料在防印印花工艺上的应用,不仅可以替代还原染料深色拔染工艺,且由于活性染料成本低廉、工艺简便、其防染机理又与我们所熟知的凡拉明蓝地色不溶性偶氮染料防染印花相似,而且所得的产品色色鲜艳、白地洁白、印制效果良好,具有独特之处。 一、防染的理论根据 无论活性染料活性基团的反应速率、反应基结构如何,其与纤维产生亲核性取代反应或亲核性加成反应均必须在碱性条件下进行。 均三嗪型活性染料的亲核性取代键合反应为: 乙烯砜型活性染料的亲核性加成反应为:     

AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究

通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN／GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析．确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃．退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8．9%．肖特基栅反向漏电流减小2个数量级．阈值电压绝对值减小．退火后肖特基势垒高度提高．在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用．这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因．采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌，500℃未发现明显变化．600℃有起泡现象．     

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.     

Progress in Group Ⅲ nitride semiconductor electronic devices

Recently there has been a rapid domestic development in groupⅢnitride semiconductor electronic materials and devices.This paper reviews the important progress in GaN-based wide bandgap microelectronic materials and devices in the Key Program of the National Natural Science Foundation of China,which focuses on the research of the fundamental physical mechanisms of group III nitride semiconductor electronic materials and devices with the aim to enhance the crystal quality and electric performance of GaN-based electronic materials, develop new GaN heterostructures,and eventually achieve high performance GaN microwave power devices.Some remarkable progresses achieved in the program will be introduced,including those in GaN high electron mobility transistors(HEMTs) and metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) with novel high-k gate insulators,and material growth,defect analysis and material properties of InAlN/GaN heterostructures and HEMT fabrication,and quantum transport and spintronic properties of GaN-based heterostructures,and highelectric -field electron transport properties of GaN material and GaN Gunn devices used in terahertz sources.     

膨胀岩路堑边坡稳定性探讨

膨胀性软岩边坡稳定问题是吉珲高速公路建设中所面临的重要工程地质问题 ,为使路堑边坡加固方案合理 ,避免滑坡、塌方等现象的发生 ,基于吉珲高速公路膨胀性软岩试验研究结果 ,探讨了该地区软岩路堑边坡的变形力学机制 ,并以典型坡面为例进行了路堑边坡的稳定性分析 ,提出了有针对性的工程加固对策     

近50年来细河流域降水量的时空变化

为合理利用区域降水资源,依据细河流域5个雨量站点近50年(1966~2015年)的降水观测资料,结合线性倾向法、累积距平法分析了细河流域近50年来降水量的变化趋势;再采用Mann-Kendall法分析其降水量的突变现象;最后采用空间插值法分析其空间分布特征。结果表明,细河流域降水量主要集中于夏季,占全年降水量的83%;从季节变化趋势看,5站的四季变化趋势各有不同,但冬季大部分站点呈上升趋势变化;根据Mann-Kendall检验计算,细河流域降水量平均Z值为0.659,降水量随时间呈上升趋势变化,且5个站点均有突变点;空间分布亦不均匀,整体呈由东南向西北减少的趋势。研究结果为该区降水量管理提供了科学依据。     

纸上得来终觉浅 绝知此事要躬行——略谈中学思想政治课的知行统一

现阶段中学思想政治课的教学存在理论与实践相脱节的情况，一些教师和学生甚至认为政治课是非常枯燥的，这是因为他们没有把握住政治课“知行统一”的精髓。笔者想就这一问题提出几点管见。     

硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。