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体晶ZnO光导探测器制备与测试   总被引:1,自引:0,他引:1  
赵鹏  周旭昌  洪雁  唐利斌  彭曼泽 《红外技术》2007,29(10):567-569
在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器.对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻.对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W.  相似文献   
2.
介绍了G因子的概念和确定方法。常规黑体Dbb^*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数据便可计算G因子。同时介绍了波段G因子及其计算方法。  相似文献   
3.
利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度p/n之间的公式及曲线。分析了不同p/n值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。  相似文献   
4.
利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度 p/n 之间的公式及曲线。分析了不同 p/n 值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。  相似文献   
5.
主要介绍了波长范围为1~3μm的红外探测器相对光谱测量。通过对7、8谱段(被测探测器的名称)的红外探测器的测试,详细介绍了短波器件相对光谱响应特性的测量方法和G因子的计算方法。  相似文献   
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