一种新型小尺寸微机补偿晶体振荡器

现代电子技术对电子器件的小型化和低功耗有着越来越高的要求,我们设计了一种以微处理器为核心的基于AT切晶体谐振器的小型微机补偿晶体振荡器(MCXO).它所有的器件采用贴片封装,用软件来代替部分硬件电路.补偿后频率温度稳定度为±4.7×10-7(-40～ 85℃),工作电压为3.3 V,消耗的功率约为50 mW.该振荡器为标准的DIP14封装, 其体积只有17.3 mm×9.5 mm×10 mm,它结构简单,造价低,开机即可正常工作,具有很强的竞争力.     

微波陶瓷介质滤波器成型烧结工艺可靠性研究

该文从微波陶瓷材料NP37本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响。研究表明,在成型压力2 000 kg、隧道炉1 160 ℃烧结工艺下,坯体性能及可靠性测试结果最佳。将其用于介质滤波器的坯体制作、介质滤波器坯体的切片、扫描电镜(SEM)测试、热震试验及温度冲击试验,结果验证了此成型烧结工艺可靠性较高。结果表明,通过验证标准件成型烧结工艺指导介质滤波器生产的方法能有效地提高产品可靠性。     

小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

介绍比较了钽酸锂(LiTaO3,简称LT)晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器.结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%～4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

四极点LGS晶体滤波器的研制

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La_3Ga_5SiO_(14),LGS)晶体滤波器的设计方法.该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55～+125 ℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm.实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%～0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

小体积高频5次泛音晶体滤波器

该文提出了一种小体积高频晶体滤波器的设计方法。通过采用5次泛音的设计,实现了140 MHz的工作频率,降低了生产成本,提高了器件的可靠性。同时为了实现较小的外形尺寸封装,在保证滤波器性能的情况下,对晶片尺寸和磁芯进行小尺寸设计,使其体积仅为常规晶体滤波器的一半。结果表明,该滤波器的工作频率为140 MHz,3 dB带宽为11 kHz,带内波动小于0.5 dB,阻带抑制大于50 dB。     

三次泛音单片式、高频及高阻带晶体滤波器

研究了三次泛音模式下单片式晶体滤波器的设计方法、制作工艺。通过优化滤波器结构、合理控制晶片镀回频率等方法,实现了晶体滤波器的高阻带和高杂波抑制。制作出一种工作频率为41.4 MHz,响应模式为三次泛音的单片式晶体滤波器。结果表明,该晶体滤波器的-1 dB带宽为2.9 kHz,带内波动为0.3 dB,阻带抑制为82 dB。     

高基频高机电耦合系数晶体滤波器

采用离子刻蚀工艺对钽酸锂晶体材料进行刻蚀加工,得到了反台面结构晶片,其厚度约为31.3 μm,可用于制作高基频晶体谐振器。应用该晶体谐振器,在电路上采用差接桥型电路,设计了一种高频宽带晶体滤波器,其中心频率为63 MHz,3 dB带宽为780 kHz,阻带衰耗大于75 dB,工作温度为-55～+95 ℃。结果表明,采用离子刻蚀工艺能极大地提高晶体滤波器的工作频率上限。     

高可靠性、高基频及小延时晶体滤波器

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器,并对磁芯采用充磁处理,实现了滤波器的全密封结构。该滤波器的工作频率为70 MHz,3dB带宽为151.4kHz,带内波动小于0.5dB,通带内(69.95~70.05 MHz)的群延时波动小于3μs,矩形系数小于2.8。     

钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。     

单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器.该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55～125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm.实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白.