“一网打尽”不如“退而结网”——对中学生进行网络道德教育的一点尝试

网络给人们带来了许多便利与好处的同时,也带来了许多负面影响,例如,浏览有害网站信息、无节制上网、网上交友上当受骗等等,极易对青少年造成危害,也使一些家长和教师谈“网”色变。是“堵”还是“导”呢？是“一网打尽”还是“退而结网”？本文从自身教学实践谈谈自己的做法。     

上海市环城绿带植物群落构建初步研究

通过对上海市环城绿带范围内已经建成的林带植物群落特征及存存的问题进行分析讨论,提出一些优化林带植物群落结构的建议,同时对建设具种类多样、密度合理、结构优化、自然稳定等特征的新一轮环城绿带植物群落提出规划构想,为促进环城绿带的健康发展提供借鉴.     

混凝土楼板裂缝控制措施

在实际建设施工过程中,由于混凝土自身抗拉能力差,脆性比较大,容易出现裂缝,导致混凝土结构质量下降。文章中对现浇混凝土楼板裂缝产生的主要原因进行分析,并提出应对策略,控制混凝土楼板裂缝的产生。     

不同尺寸CdTe纳米晶体的共振能量迁移过程的荧光光谱

用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸的CdTe纳米晶体荧光峰强度逐步减弱,而较大尺寸的纳米晶体的荧光峰强度逐渐加强.荧光光谱的变化来源于大小尺寸纳米晶体之间的荧光共振能量迁移.小尺寸的纳米晶体作为施主,它的荧光光谱与大尺寸的纳米晶体(作为受主)的光吸收谱完全重叠,因而当施主和受主距离逐渐靠近时(明胶浓度逐渐降低时),施主将会把吸收光子得到的能量直接地共振传输给受主.从光谱分析可以得到荧光淬灭效率随颗粒间距的变化关系图,这种关系图可以被用来快速简捷地估计发光纳米晶体之间的距离,从而为它们在化学和生物领域的应用提供了广阔的前景.     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜.原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge2Sb2T...     

脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究

在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3~1.62 eV范围内变化,并且随着开启脉冲电位的增大,薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V(vs.SCE)时,制备的薄膜禁带宽度为1.53 eV,在可见光范围内光吸收系数均达到104cm-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试,得到了薄膜电导率温度谱,发现室温下薄膜的电导率为10-6S.cm-1。同时,在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触,由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58 eV。     

表面化学修饰对CdS纳米粒子三阶光学非线性的影响

用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上的 AOT-SO- 3被 Py取代后 ,其三阶非线性极化率增加 ,这归于表面修饰 Py的Cd S纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子 -空穴分离态 ,从而提高了对激子吸收的漂白效率 ,增加了三阶光学非线性。     

氧化锌薄膜的电化学沉积法制备及受激发射研究

采用一种简单的电化学沉积法，在三电极化学池中，以单一的硝酸锌水溶液作为电沉积液，制备了高光学质量的半导体ZnO薄膜。透射光谱测量表明其光学带隙为3．35eV，400～2000nm波段的光学透过率大于80％。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究表明，ZnO薄膜为纤锌矿结构的无序多晶颗粒膜，微晶尺寸小于250nm。当用355nm的皮秒脉冲激光作为抽运源垂直入射薄膜表面时，可以检测到400nm附近的近紫外受激发射光，其强度随入射强度呈超线性增长关系，阈值在196．8kW／cm^2处，并且激光发射是多模的和各个方向的，还与被激发的面积有关，表现为随机激光发射机制。     

不同尺寸CdTe纳米晶体的共振能量迁移过程的荧光光谱

用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜. 研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程. 荧光光谱显示：当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时，较小尺寸的CdTe纳米晶体荧光峰强度逐步减弱，而较大尺寸的纳米晶体的荧光峰强度逐渐加强. 荧光光谱的变化来源于大小尺寸纳米晶体之间的荧光共振能量迁移. 小尺寸的纳米晶体作为施主，它的荧光光谱与大尺寸的纳米晶体(作为受主)的光吸收谱完全重叠，因而当施主和受主距离逐渐靠近时（明胶浓度逐渐降低时），施主将会把吸收光子得到的能量直接地共振传输给受主. 从光谱分析可以得到荧光淬灭效率随颗粒间距的变化关系图，这种关系图可以被用来快速简捷地估计发光纳米晶体之间的距离，从而为它们在化学和生物领域的应用提供了广阔的前景.