微量掺杂金刚石结构半导体材料中替位式杂质的声子局域模和准局域模

本文运用递归方法,计算了微量掺杂金刚石结构半导体材料中替位式杂质的声子谱.通过对声子态密度的多方面讨论,详细分析了杂质诱导的局域模、准局域模的振动行为,研究表明除了杂质原子质量因素外,杂质原子与主晶格原子互作用力常数的变化对这些模的出现至关重要.     

光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究

报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.     

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰

应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器性能的影响     

超晶格的声子态密度计算

在Recursion方法的基础上提出一种实空间计算半导体三维超晶格声子态密度的方法,并用于两元超晶格系统,取得了较理想的结果。     

GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究

我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的约束的加强，我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移（ＨＨ１到Ｅ１，ＬＨ１到Ｅ１）．这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释．     

铁电半导体SnTe的晶格动力学

用刚性离子模型研究了铁电半导体ＳｎＴｅ的晶格动力学,计及电子屏蔽作用对长程库仑作用的修正,得到了光学模反常的色散关系。     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.