汽车外覆盖件废料切断新工艺

介绍了一种汽车外覆盖件废料切断新工艺，包括改变传统废料工艺设计，降低下模废料切断刀高度，在修边完成废料下滑后先由挡料销暂存，下一个冲次将其切断排出模具外，达到自动化生产和提高制件表面质量的目的。     

焦平面输入电路研究

在混合式焦平面阵列中，探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响，用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验，实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素，应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念，实验表明，当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p?蛳i?蛳n 光伏探测器来说约为106 Ω)，焦平面才能获得较高的注入效率。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

带天窗汽车顶盖成形新工艺

带天窗汽车顶盖,传统工艺生产易产生表面变形和局部回弹,通过工艺优化解决生产过程中的质量问题,满足整车外观精细化要求.     

钌Ⅱ-邻菲咯啉的合成及其特性研究

合成了对氧极为敏感的荧光试剂Ru(phen)3^2 ，通过光学显微镜，紫外－可见分光光度计，荧光分光光度计，质谱仪等仪器分析了试剂的晶体结构，紫外－可见吸收峰和荧光光谱等特性，以醋酸纤维素为载体制备了Ru(phen)3^2 荧光试剂薄膜，测试了氧气对试剂的猝灭性，为胆固醇生物传感器的研究奠定了基础。     

9级时间延迟积分CMOS读出电路

报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路,具有戽链器件(BBD)结构,其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA).介绍了读出电路的设计,并对该电路进行了功能仿真和流片验证.该芯片采用0.6 μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺.测试结果表明,在常温下,本电路能够实现9级TDI功能,电荷处理能力为2.5 pC,工作电压5 V.最后讨论了电路存在的一些问题以及下一步努力的方向.     

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.     

汽车左右翼子板侧翻边模新结构的应用

左右前翼子板与发盖外板结合区域曲率比较小,用一般的整体式正向压料芯结构和分体式压料芯结构都难以解决制件变形或出现波浪缺陷等问题,采用正向压料芯+摆动压料芯的分体式技术,成功地解决了左右前翼子板制件不变形的难点。     

GaN紫外焦平面注入效率研究

对CTIA和DI注入结构的GaNpin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究。测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系。     

可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响

GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响,最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。