排序方式： 共有47条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1.
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
2.
计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合． 相似文献
3.
通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°. 相似文献
4.
本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm~2,最低达675A/cm~2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。 相似文献
5.
本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响． 相似文献
6.
ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤｏｕｂｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓ￥ＸｕＺｕｎｔｕ（ 徐遵图），ＺｈａｎｇＪｉｎｇｍｉｎｇ（张敬明），ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ（杨国文），ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ（徐俊英），ＸｉａｏＪｉａｎｗｅｉ（肖建伟... 相似文献
7.
本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平． 相似文献
8.
本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量表明，它具有超过100GHz的-3dB带宽．在100fs、25pJ的脉冲激光照射下，产生的电脉冲峰值约为300mV，脉宽（FWHM）为3.3ps． 相似文献
9.
本文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角.利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30° 相似文献
10.
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ,激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．８° 相似文献
|
