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本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。 相似文献
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基于神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺的模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
由于IC制造过程的高度复杂非线性,利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果,现描述一种新的途径--神经网络反向传播算法,并介绍了神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺中的应用。通过建立PECVD淀积工艺的神经网络模型,对PECVD Si3N4钝化工艺进行了计算机模拟,讨论了相关工艺条件对Si3N4介质膜特性的影响,所编写的神经网络应用程序已用C语言在计算机上得到了实现。 相似文献
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本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
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