镁空气电池阳极用挤压态Mg-2Bi-0.5Ca-0.5In合金的放电性能和电化学行为

利用XRD、SEM、EBSD、XPS和动电位极化、EIS技术、半电池及全电池恒流放电等方法,系统地研究了微观组织特征对镁空气电池阳极用挤压态Mg-2Bi-0.5Ca-0.5In(质量分数,％)合金放电性能和电化学行为的影响.结果表明,挤压态合金主要由完全动态再结晶晶粒组成,平均晶粒尺寸为(10.92±0.23)μm.织构成分主要由基极从法线方向至挤压方向偏转45°～60°的非基面织构组成.合金主要包含α-Mg、纳米级Mg3Bi2相和微米级Mg2Bi2Ca相.在半电池测试中,挤压态合金在10 mA/cm2的电流密度下显示出平稳的放电过程和较负的放电电位(-1.622 V).此外,基于挤压态合金为阳极的镁空气电池展现出较高的电池电压和功率密度,在120mA/cm2的电流密度下电池电压和峰值功率密度分别为0.72V和86.4mW/cm2,这明显高于AZ31、AM50等商用镁空气电池用阳极材料的性能.该合金优异的放电性能主要归因于电极表面金属In的重新沉积、弱的织构强度、均匀的微观组织以及疏松且薄的放电产物膜.     

挤压态Mg-2Sn-1Al-1Zn合金在模拟体液中的电化学腐蚀行为

通过对挤压态Mg-2Sn-1Al-1Zn合金进行电化学测量(稳定开路电位、极化曲线、阻抗)以及浸泡在模拟人体体液(SBF)不同时间后的阻抗测试,研究其在模拟体液中的电化学腐蚀行为。结果表明:挤压态Mg-2Sn-1Al-1Zn合金的稳态开路电位值(OCP)约为-1.57 VSCE,极化腐蚀速率(Vi)为8.98 mm/a,阻抗(Rp)为1011.21Ω·cm^2。浸泡在模拟体液中不同时间的阻抗结果表明,阻抗呈先增大后减小的趋势,浸泡2 h后,峰值阻抗为2151.62Ω·cm^2,这与浸泡后合金表面出现致密的腐蚀产物层有关。     

家用电器电话遥控系统

本文设计了一种家用电器设备的电话遥控系统。在单片机监控下,通过电话机对多种家用电器进行控制。     

Numerical Simulation of BJMOSFET on Current-Voltage Characteristics

The MOSFET is a key device in high-fequency applications,such as swithing sup-plies,because of its high input DC impedance and the majority carriers participating in thecurrent conduction.Unfortunately,owing to the limitation of the c...     

家用电器电话遥控系统

本文设计了一种家用电器设备的电话遥控系统。在单片机监控下,通过电话机对多种家用电器进行控制。     

Mg-8Sn-1Zn-1Al合金在热压缩过程中的组织和织构演变

对固溶态Mg-8Sn-1Zn-1Al合金在200℃和10 s-1条件下的压缩行为进行了实验研究,主要分析了不同应变阶段合金的组织及织构演变。结果表明:随着应变量的增加,孪晶的面积分数不断增大,而动态析出的Mg2Sn相的面积分数却不断减小。变形过程并不改变织构的类型,只是影响织构的强度。基面织构的强度与孪晶的数量密切相关,而柱面织构的强度可能与动态沉淀的取向有关。     

Numerical Simulation of BJMOSFET on Current-Voltage Characteristics

A new power MOSFET Structure with a pn junction--Bipolar Junction MOSFET (BJMOSFET) has been proposed. The device has the advantages of both BJT and FET. The numerical model of the I-V characteristics of BJMOSFET has been obtained on the basis of both numerical and analytical methods. With the software package of Mathematic, we firstly calculate the gain factor, and then simulate the voltage tranmission, voltage output and voltage transfer's characteristic graphs of the BJMOSFET. The simulation result indicates that BJMOSFET has the current density, which is about 25% larger than the power MOSFET, under the same operating conditions and with the same structure parameters, except that the threshold voltage increase a little.     

BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

建立了新型半导体功率器件－双极型压控晶体管（BJMOSFET）的直流解析模型,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法对BJMOSFET的直流特性进行了模拟,分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统MOSFET相比,电流密度提高30％－40％。     

新型多通道可编程遥控系统

设计了一种新型多通道无线电遥控系统，在单片机监控下，实现对电气设备的可编程遥控管理。无干扰，有效解决了无线电遥控中的串门现象，扩展ＲＳ４８５接口便于计算机管理；有效遥控距离１００ｍ，可广泛应用于智能化管理领域，工业控制领域等。     

移动数据通信网

本文简单介绍了移动数据通信网的主要特点及应用,列举了几种典型的移动数据通信网,并简述了它们各自的工作原理和结构。