日立公司市售的1.3μm、1.55μm、5mW功率DFBLD

日立公司最近开始出售1.3μm、1.55μm DFB-LD,其规格: 型号:HL 1341A(1.3μm),HL1541A(1.55μm) 功率:5mW 结构:DFB型BH结构模式性能:单纵模稳定(高速调制时) 频谱半宽:0.1nm(1.53～1.57μm时)     

NEC市售的1.5μm波段光通信用LD和探测器

NEC研制的1.5μm InGaAsPLD和InGaAsAPD已于1986年2～6月开始出售。其性能: InGaAsP LD InGaAs APD型号:NDL 5050A 型号:NDL5500,NDL5000     

接收10Gb/sRZ信号的GaInAs APD

据日刊《日经》1987年11月16日报导: NEC继研制出GB为45GHz的PLEG(择优横向扩展保护环)APD后,现又研制出GB达75GHz的InGaAs APD。该器件响应波长为1.55μm(M=10),光敏面直径为30μm,GaInAs(光吸收层)厚约2μm,这种APD可     

140万像素的CCD固体摄像器件

美国柯达公司电子研究所采用独特的超净处理技术,于1985年5月29日研制出世界最高像素(140万)的高灵敏度埋沟面阵CCD固体摄像器件。该器件性能如下:     

将用子香港—日本—南朝鲜海底光缆的传输方式

国际电信电话公司(KDD)为研究1.55μm国际间海底光缆传输方式,进行了101km的零色散光纤传输实验。为了确保实现100～150km的中继距离,实验中采用了三种组合的传输方式。即:     

CCD国际会议

前言 CCD是十年前美国贝尔研究所的Boyle等人发明的具有独特功能的器件。它的问世推动了IC/LSI技术的发展。世界上主要半导体厂家都相继开展了这方面的研究。经过十年的发展,目前各公司已开始出售CCD商品,并在许多领域开始投入实际系统应用。     

红外传感器

一、前言可见光和红外光传感器与其它电子器件一样,正在稳步地向前发展。可见光Si CCD传感器是对以前的摄象管的变革。红外光面阵红外传感器也受到各发达国家的广泛研究。研制面阵红外传感器的目的在于:1)除了使线阵多元红外传感器小形化外,还将去掉扫描装置陡读出装置小形化;2)给传感器配备控制功能来提高其装置性能等。于是,热电传感器与半导体红外传感器一样均获得显著发展。热电传感器中,热电光导摄象管和面阵     

301km、32Mb/s FSK光外差光纤传输实验

NEC光电子研究所用FSK光外差检波方式进行了32Mb/s,301km无中继的光纤传输实验。性能如下: 调制方式:FSK直接调制波长:1.55μm 速率:32Mb/s 距离:301km     

世界上第一个长寿命AlGaInP可见光半导体激光器

NEC在世界上最早(1982年)采用理想的Ⅲ—Ⅴ族新材料—AlGaInP作可见光半导体激光器。1983年实现CW连续激射,此后,一直以器件实用化为目的进行器件性能改进,其中主要进行器件的长寿命研究。这次实现长寿命的器件用材料,采用独     

光通信有源器件的可靠性试验

本文主要报导日本光纤通信用光发射和探测器件的可靠性试验。