PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型，该模型集成了LDMOS固有特性：准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较，该模型不但能提供准确的模拟结果，而且建模简单快捷，另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示：模拟与实测结果误差在5%以内.     

高可靠性P-LDMOS研究

分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.     

多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究

研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。     

电流叠加型CMOS基准电压源

介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。     

高压gg-LDMOS在ESD应力条件下的热特性研究

The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions along the Si–SiO2 interface under different stress conditions are presented and the physical mechanisms are discussed in detail.The influence of structure parameters on peak lattice temperature is also discussed,which is useful for designers to optimize the parameters of LDMSO for better ESD performance.     

nLEDMOS热载流子效应在版图及工艺上的改善方法

Two layout and process key parameters for improving high voltage nLEDMOS （n-type lateral extended drain MOS） transistor hot carrier performance have been identified. Increasing the space between Hv-pwell and n-drift region and reducing the n-drift implant dose can dramatically reduce the device hot carder degradations, for the maximum impact ionization rate near the Bird Beak decreases or its location moves away from the Si/SiO2 interface. This conclusion has been analyzed in detail by using the MEDICI simulator and it is also confirmed by the test results.     

功率集成电路中一种抗闩锁方法研究

在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环.通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片.这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证.     

电流控制模式白光LED驱动电路的频率补偿研究

白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点，为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案，其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热点。基于1 MHz开关频率的电流控制型白光LED驱动芯片，结合相关的研究，对电流控制型白光LED驱动芯片进行了小信号分析，根据得出的回路增益提出了具体的频率补偿方案，并给出了实现频率补偿的方案．必须满足的参数设计方法。补偿方案能有效提高白光LED驱动芯片的小信号稳定性。