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1.
固体钽电解电容器的进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
<正> 一、前言由于钽及其阳极氧化物Ta_2O_5的化学性质异常稳定,可以使用电导率很大的强性电解质,再加上Ta_2O_5薄膜的介电性能非常优良,所以使钽箔电解电容器的许多性能明显地优于A1箔电容器。将钽箔阳极换为高温真空烧结的多孔钽块以后,钽电解电容器的优越性更加显示出来。这是因为多孔钽块的比表面积远大于钽  相似文献   
2.
随着电子整机和日用电器性能的提高,要求铝电解电容器要有较大的发展,近年来出现了多种新型铝电解电容器。本文扼要地论述这些新型电容器的设计原理。  相似文献   
3.
本文用电容器方面已取得的进展为佐证,指出并论述了电容器的三个发展方向。  相似文献   
4.
本文讨论了新型液体浸渍材料,并从理论上说明其性能和在电容器方面的主要应用。  相似文献   
5.
钽基介质薄膜的进展   总被引:2,自引:2,他引:0  
<正> 一、前言在前文中谈到,由于钽及其氧化膜具有许多优良的性能,所以在1956年就出现了固体钽电容器。经过二十多年来的发展,现在钽电容器的类型和品种很多,已成为广泛采用的通用元件之一。  相似文献   
6.
固态介质薄膜的电击穿场强   总被引:3,自引:0,他引:3  
对于微电子和光电子元器件及其集成电路来讲,固态介质薄膜是一类重要的基础材料。它们的电击穿场强是一个特殊的特性参数。本文从理论上论述了这类薄膜的电击穿场强,并概述了现在所用的测试方法和多位研究者得出的测试结果。此外, 文中还分类提出了这类薄膜内的弱点类型。  相似文献   
7.
电子元件与材料   总被引:4,自引:4,他引:0  
系统介绍了电子元件与材料 ,论述了它们的类别、发展历程及最新发展。  相似文献   
8.
<正> 三、氮化铝薄膜的结构和成分 氮化铝薄膜的结构依从于它的制造工艺和基片材料。在其他条件相同下,用不同的工艺可以制造出结构不同的薄膜。同样的,即使在工艺完全相同下,若所用基片材料不同,会得出结构各异的薄膜。 在氮化铝薄膜的结构中,包括有组织结构和晶体结构,此外,还有各种结构缺陷。  相似文献   
9.
<正> 一、前言 薄膜材料的类型较多,本文所谈的是金属薄膜和介质薄膜。正如大家所知道的,这两类薄膜广泛地用于各种电子元器件、薄膜集成电路以及半导体集成电路。 对于这两类薄膜,可以说,它们最重要的电性参数是电导率。因此,本文试图系统地论述这两类薄膜的电导率。  相似文献   
10.
本文叙述了高Te超导薄膜的主要进展,并讨论了它的实用化问题  相似文献   
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