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我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(~7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短 相似文献
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使用光致抗蚀剂的全息干涉曝光、显影方法在GaAs(100)面衬底上形成光致抗蚀剂光栅图形.采用选择化学腐蚀将光致抗蚀剂光栅浮雕图形转换到GaAs(100)面衬底上.已成功地在GaAs(100)面衬底上制作了周期为0.33微米的光栅皱折.在GaAs(100)面上的光栅皱折具有良好的V-形沟槽轮廓. 相似文献
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Large grain, low-dislocation, high-quality single crystals of various Pb-salt compounds have been grownreproducibly by the Horizontal Unseeded Vapor Growth (HUVG) technique. The Tunable Diode Lasers withbetter performance have been made with such crystals. The annealing feature, dislocations and diffusion in thecrystals have also been investigated. 相似文献
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