高性能70nm CMOS器件

首次在国内成功地制作了栅长为 70 nm的高性能 CMOS器件 .为了抑制 70 nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力 ,采用了一些新的关键工艺技术 ,包括 3nm的氮化栅氧化介质 ,多晶硅双栅电极 ,采用重离子注入的超陡倒掺杂沟道剖面 ,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区 ,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等 . CMOS器件的最短的栅长 (即多晶硅栅条宽度 )只有 70 nm,其 NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为 0 .2 8V、 490 m S/m和 0 .0 8n A/μm ;而 PMOS阈值电压、跨导和关态电流分别为- 0 .3V、 34 0 m S/m m和     

模糊推理协处理器芯片

模糊推理协处理器VLSI芯片F200采用0.8μm CMOS工艺,作为一种模糊 控制器,主要用于实时过程控制和其它适合的应用场合,例如机器人控制、分类器、专家系 统等.F200芯片支持多个模糊知识库工作,支持最常用的两种模糊模型,Mamdani和 Trakagi-Sugeno模型.芯片精度12位,主频20MHz,推理速度约为每秒1.2M条模糊规则.     

High Performance 70nm CMOS Devices

首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技术,包括3nm的氮化栅氧化介质,多晶硅双栅电极,采用重离子注入的超陡倒掺杂沟道剖面,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等．CMOS器件的最短的栅长(即多晶硅栅条宽度)只有70nm,其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA／μm;而PMOS阈值电压、跨导和关态电流分别为－0.3V、340mS／mm和0.2nA／μm．并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器,其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级．     

一种频率测量芯片的实现

白行设计的用于频率测量的ＡＳＩＣ采用白顶向下的设计方法，用ｖｅｒｉｌｏｇ语言建模，使用ｃａｄｅｎｃｅｖｅｒｉｌｏｇ仿真工具，保证了芯片具有可靠的性能和精度，同时设计周期也大为缩短。     

基于CMOS的RF IC的发展现状

目前，射频电路存在广阔的市场，成为无线通信领域内研究的热点之一。文章主要介绍了基于CMOS工艺的射频电路的研完现状。     

基于信息系统的软件项目管理

本文介绍了信息系统建设中软件项目管理的理念．深入探讨了软件项目管理的组织模式、内容、配置管理、质量管理、风险管理及人员管理等，并给出了软件项目计划书的范本。     

复数乘法累加器的正向设计

复数乘法累加／累减器件（CMAC）是为满足新一代高性能高速信号处理系统的需要而进行研制开发的专用集成电路。本文从CMAC的系统仿真、高层次综合、整体结构的划分及内部单元的性能优化设计进行详细的描述。并进一步针对CMAC进行了门级仿真和版图优化的讨论和分析。