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1.
悬臂式RF MEMS开关的设计与研制   总被引:6,自引:2,他引:4  
介绍了一种制作在低阻硅(3~8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0~4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4~7d B(1~10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟  相似文献   
2.
多孔硅的干燥方法   总被引:3,自引:1,他引:2  
研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品.在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺,因此,可应用于制作器件甚至电路集成  相似文献   
3.
多孔硅的干燥方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品.在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺,因此,可应用于制作器件甚至电路集成.  相似文献   
4.
介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为2 0 V时,相移量可达到3 70°/3 .5 mm以上( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量,其传输损耗为5 5~90°/ d B,比金可动膜结构要高  相似文献   
5.
MEMS 悬臂式开关的失效分析   总被引:3,自引:1,他引:3  
介绍了一种表面微机械系统开关,悬臂材料为Au/SiOxNy/Au铬金作为电欧姆接触.用静电激励(激励电压为13 V)方式,测试其隔离度.获得结果为微机械开关在1~40 GHz的范围内隔离度可高达35 dB.我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命.结果寿命接近105,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理.  相似文献   
6.
光电传感器读出电路的参数可调控制研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
基于电容反馈互导放大器和相关双采样结构的读出电路原理,分析了电路中控制信号的时序关系,设计了参数可调的时序控制电路.应用Cadence进行电路仿真和版图设计优化,通过流片、测试,证明参数可调的时序控制电路能有效调节参数,易于控制,适用于具有该读出结构的读出电路.  相似文献   
7.
介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列--移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压(5V),用该弹性膜制备的21桥压控式开关阵列--毫米波移相器的下拉电压为20V时,相移量可达到370°/3.5mm以上(35GHz),并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量,其传输损耗为55~90°/dB,比金可动膜结构要高.  相似文献   
8.
9.
通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。  相似文献   
10.
本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道CMOS器件在室温和液氮温区的场效应迁移率,跨导,亚阈和高频特性进行比较和分析,结果发现HCMOS II型PMOS管在77K下的工作特性比HCMOS I型的好,而相应的NMOS管特性却变得很差,这主要是由于电离杂持散射增强的缘故。为此我们提出一种既适于室温工作又能在液氮温区充分发挥优点的新型短沟道CMOS器件。  相似文献   
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