采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器

提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性.     

医疗诊断中的时间分辨透射法

当我们对人体组织这样的不透明,高散射介质进行透射照射时,时间选通技术被证明可以有助于测量不同空间位置介质的吸收率。用超快激光脉冲从物体一侧入射,并在另一侧测量出射的光脉冲,如果只探测出射时间最小的那部分光子能量,就可以获得对比度得以改善。的物体的像。有文章报道了以厚为35mm,内部含有直径为5mm吸收物体的样品为组织模型的时间分辨测量,并附带了自然条件下的人手数据。同时也探讨了乳房的可见光透视法。     

动力踝关节假肢设计与仿真

介绍了踝关节假肢的发展现状,为了达到人体理想的行走步态,对一个周期内的步态过程进行了研究,设计了一种具有主动驱动力源的踝关节假肢模型,整个机构采用串联弹性驱动系统和并联弹性板辅助来模拟步态整个周期运动过程。通过使用Solidworks、ANSYS和ADAMS软件的虚拟样机联合仿真,进行了一个步态周期内的踝关节假肢的仿真过程,结果表明该踝关节假肢模型能够实现正常的步态运动,并能够得到类似正常人体行走的踝关节角度和角速度曲线,验证了机构的可行性。     

电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 ,提供了理论和实验基础     

电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FLASH在擦操作的过程中,带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱),影响电路的可靠性.利用电荷泵方法,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布,为FLASH单元设计与改进可靠性,提供了理论和实验基础.     

利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性

在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右.     

磁电子学研究概述

简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 ,对磁电子学的未来发展方向作了评述和展望     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处，介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP-ROM，主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM(single poly EEPROM)，展示了single poly EEPROM的应用前景，同时提出了single poly EEPROM所面临的问题，并有针对性地给出了几种解决方案。     

IC卡E^2PROM单元写／擦特性的测试与研究

针对金卡工程中EEPROM单元的可靠性问题，本文给出了可以对其编程窗口进行测试和分析的测试系统的软、硬件描述。根据对测试结果的分析与讨论，得到了最佳的单元尺寸和编程条件。     

基于IMU与WiFi技术的步态监测系统研究

为了可靠获取人体步态信息,实现对外骨骼机器人控制提供重要参数,研究了一种基于IMU与Wi Fi技术的步态监测系统。阐述了监测系统的软、硬件结构和该监测系统的实际应用。该步态监测系统包括多个安装于肢体的无线传感节点、汇聚节点与上位机监测平台。无线传感节点获取各节点倾角传感器信息,并通过Wi Fi无线网络传输到上位机监测平台。经实测该监测系统在空旷地带的监测范围是80m,充满电状态下可以连续30h输出角度信息,满足人机系统动态位姿信息监测的要求。