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1.
采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备了具有较高结晶度和优异透光性能的CdS多晶薄膜,对制备样品的结构和光学性质进行了表征。结果表明,制备薄膜属于六方相多晶结构,沿(002)晶向择优取向生长。此外,随着衬底温度的升高,样品结晶质量先提高后降低,与薄膜厚度变化有关。紫外-可见透过谱显示,随着衬底温度的升高,薄膜的光吸收边趋于陡直,但光学带隙呈现波动变化,分布在2.389-2.448 eV之间。对样品进行光致发光谱测试表明,CdS薄膜发光锋展宽严重,仅在1.60 eV附近有一个微弱的红光发射。论文对上述实验结果进行了分析和讨论。  相似文献   
2.
如果在基础勘探开发过程中能完成解释,那么,资料采集、钻井和油藏管理的水平就可能大大提高。本文介绍了实时解释的长处及相关技术。  相似文献   
3.
通过分析我国水资源的现状,了解和剖析在使用工业水过程中存在的三大问题,提出如何使用和管理好工业水的水质问题。  相似文献   
4.
油气井钻井作业会产生大量钻屑和废泥浆 ,海上及陆上井队曾应用许多方法来处理这些废物。过去的废物处理办法对环境或公共健康不利 ,后来被管理部门取缔。全文论述了钻井废物处理曾采用的办法、当前采用的办法以及今后十年可能采用的办法  相似文献   
5.
油田企业跨国经营已有多年的实践经验,但与国外著名工程服务企业相比仍存在较大差距。分析这些差距,将为石油石化对外工程服务企业的发展打开思路。  相似文献   
6.
7.
综述了高密度高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体的研究现状,阐述了配方体系、预烧工艺、添加剂、成型和烧结工艺等因素对MnZn铁氧体的密度、磁导率和饱和磁感应强度的影响,并指出了高密度高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体制备技术的发展趋势.  相似文献   
8.
分析了常见交流绕组槽漏抗计算方法和公式,指出了其不妥之处,给出了实用于常见交流绕组槽漏抗计算的新方法和公式,即分层计算槽漏抗。分层计算槽漏抗与实际情况吻合,而且直观,意义明确。  相似文献   
9.
用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体.结合材料微观结构分析,研究了TiO2,SnO2添加剂对MnZn功率铁氧体起始磁导率μi,电阻率ρ及单位体积高频损耗Pcv的影响.结果表明:为得到优良的高频性能,TiO2和SnO2适宜添加的质量分数(下同)分别是0.2%和0.1%,而复合添加时最佳量分别为0 4%和0.1%.  相似文献   
10.
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性.  相似文献   
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