一种低静态功耗的CMOS集成稳压器的实现

提出了一种静态功耗很低的CMOS集成稳压器的实现方法，详细分析了他的工作原理，并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据。     

一种消除失调的开关电容带隙基准电路

 本文介绍了一种基于开关电容的带隙基准芯片电路.本文巧妙地利用电容和开关的模拟电阻,实现了静态电流小,温度系数好的开关型基准电压.同时运用自动调零技术,克服了线性基准的失调缺陷,消除了运放的失调电压,提高了输出电压的失调精度.电路在0.5μm VIS CMOS工艺下实现,温度系数29×10^-6V/℃,20mV输入失调电压下的电压漂移仅为0.4mV.     

一种新颖的低电源噪声电荷泵

本文提出一种新颖的低电源噪声电荷泵DC-DC变换器。该电路采用电流模控制方式来调整电荷泵充放电电流,并运用差动运放大信号输入时的电流开关特性,使得电荷泵充放电电流不受输入电源电压影响,在稳定状态下和升压过程中都基本维持恒定,有效地减小了输入电流的变化幅度,达到了减小电源噪声的目的。基于Hynix0.5μmCMOS工艺,利用HSPICE对电荷泵整体电路进行仿真验证。结果显示,在2倍模式下电荷泵输入电流仅变化3mA。     

低静态电流CMOS电压基准源设计

为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109 V,工作电压3 V时,消耗功耗为1.2 μW.     

芯片动态门限静态功耗的优化技术

提出了一种双阈值电压的动态门限静态功耗优化算法。该算法通过直接统计电路门级节点的松弛裕度,利用静态时序分析其最大松弛裕度及邻节点松弛裕度特征,区分电路中的关键与非关键节点并分步调整其相应的阈值电压,从而有效地实现了对CMOS电路静态功耗的优化设计。基于ISCA85基准实验电路集,采用该技术和以往的算法进行了对比验证。结果表明,该算法在不降低静态功耗优化效率的同时,优化时间缩短了95%以上,适合于超大规模电路静态功耗优化。     

可快速启动的高PSRR低噪声CMOS带隙基准电压设计

集成电路的一个重要构成单元是电压基准，本文介绍了一种CMOS工艺下高精度带隙基准电路，它具有低噪声、高PSRR及快速启动的特点。在带隙基准输出端增加的RC滤波电路降低了高频噪声，增强了输出对输入纹波的抑制能力，并在此基础上引入快速启动电路，克服了RC滤波电路延缓基准启动速度的问题。在频率为100Hz至10MHz的范围内，噪声只有10．1μVms，PSRR为110dB左右，启动时间在70μs以内。     

一种新型双极型LDO线性稳压器的设计

LDO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能，本文设计并实现了一种新型的双极型LDO线性稳压器，调整管采用自由集电极纵向PNP管。