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大多数集成电路(IC)测试仪只能测试数字集成电路,不能测试模拟或线性集成电路,而少数线性IC测试仪价格昂贵,使普通电子技术人员陷入困境。本文介绍的模拟IC测试仪将提供可靠的方法来测试各种集成电路。尽管这种装置 相似文献
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复数有限长单位冲激响应滤波器用于对二维复信号的滤波,涉及大量的复数运算,因此它的结构比实数滤波器复杂得多。文章从算法上优化了复数滤波器的结构,并采用DSP Builder和配套的电子设计自动化软件完成了现场可编程门阵列的复数滤波器的设计。与其它方案相比该滤波器不用过多分析硬件电路,滤波器的建模、仿真与设计可以同时进行,大大降低了设计难度,缩短了设计周期。 相似文献
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一种新的图像实时放大技术 总被引:2,自引:0,他引:2
该文提出了一种视频图像整数倍放大的实时插值方案一改进的像素填充插值法,给出了其基本原理及软、硬件实现方法.与重复插值法、线性插值法、像素填充插值法和小波放大法等进行了比较,并给出了放大后图像的主观和客观评价。结果表明改进的像素填充插值法的效果明显优于其他实时放大方法,且其硬件实现并不复杂,可用于视频图像实时放大的软、硬件设计。 相似文献
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针对数字信号处理中涉及数学推导的教学难点,提出了一种直观、形象的图形分析讲解方法。由于该方法不需要直接数学推导,只涉及简单的数学知识和基本原理,符合工科学生的思维特点。实践证明采用该方法教学,可以获得良好的教学效果。 相似文献
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带降场层部分衬底SOI高压器件模型 总被引:1,自引:0,他引:1
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折中,提出了一种带降场层部分衬底SOI高压器件的新结构.通过蚀刻掉常规SOI-LDMOS漂移区和漏端下方的衬底,使器件击穿电压不再受纵向限制.同时在漂移区引入了降场层,从而有效地改善了比导通电阻.基于二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件在不增加比导通电阻的情况下,人大提高了耐压能力. 相似文献
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提出了一种埋部分P+层的背栅SOI(Buried Partial P+ layer SOI,BPP+SOI)高压器件新结构.部分P+层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降低.仿真结果表明,在漂移区长度为150μm,背栅压为650V时,BPP+SOI的耐压较常规结构提高了84.9%;在漂移区为120μm,耐压相同的情况下,BPP+SOI的比导通电阻较常规结构降低了31%. 相似文献
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基于4×4矩阵法,提出了一种分析周期层叠结构微波媒质中电磁波传播问题的新方法:6×6矩阵法.对于周期结构,运用弗洛奎定理,将周期方向的场表达式展开成傅立叶级数.对一个周期运用二维空间傅立叶变换和时间傅市叶变换,得到场分最的齐次线性方程组.将方程组表示成矩阵形式,场分量描述为6×1的列矩阵,齐次线性方程组系数描述为6×6矩阵.利用齐次线性方程组有非零解条件,得到色散天系.求解场分量的齐次线性方程组,得到各场分量.最后将其应用在周期层垒结构微波媒质的分析中. 相似文献
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为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(S SOI LDMOS)耐压新结构。当器件关断时,倾斜的埋氧层束缚了大量的空穴,在埋氧层上界面引入了高密度的正电荷,大大增强了埋氧层中的电场,从而提高了纵向耐压。另外,埋氧层的倾斜使器件漂移区厚度从源到漏线性增加,这就等效于漂移区采用了线性变掺杂,通过优化埋氧层倾斜度,可获得一个理想的表面电场分布,提高了器件的横向耐压。对器件耐压机理进行了理论分析与数值仿真,结果表明新结构在埋氧层厚度为1μm、漂移区长度为40μm时,即可获得600 V以上的击穿电压,其耐压比常规结构提高了3倍多。 相似文献