采用聚硅氧烷(HPSO-VPSO)和Al-Si粉连接无压烧结SiC陶瓷

采用含氧聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)2种陶瓷先驱体作为连接剂的主要组分,以Al-Si粉为填料,通过反应成形连接工艺连接无压烧结碳化硅.采用热重法、差示扫描量热法和X射线衍射法研究了A1-Si粉对HPSO和VPSO的混合物(HPSO-VPSO)的裂解过程和陶瓷产率的影响,同时也研究了Al-Si粉含量...     

日本新闻纸生产的主要特点

王子制纸公司为了加深中日两国造纸界的相互交流和了解，邀请在该公司最大的新闻纸厂进行了1年的研修工作，收获很大。 地处东亚，面积37万km2，人口1.26亿。适于造纸的木材有红松、落叶松等。全国纸与纸板的年生产量3100万t，居美国之后，占世界第2位；人均年消费量248kg，继美国、芬兰、瑞典、比利时之后占第5位。新闻纸年消费量360万t，千人报纸拥有量582份，从产量、质量、品种看仍然是世界上造纸最发达的国家之一。 的森林覆盖率70%，木材蓄积量34.8亿m3，其中天然林53%，人工林41%，其它6%。由于环境水土保持的需要和采伐作业人工费昂…     

彩电用高频小功率塑封器件可焊性评价和分析

对19批国家质量抽检彩电用高频小功率塑封器件的可焊性,采用润湿称量法,进行了客观评价,给出数据和结果分析,指出:在国内19个厂家中大约有三分之一的厂家产品可焊性符合国标GB2424-21-85标准规定要求,其中三分之二厂家产品的可焊性在及格线以下,对可能产生润湿不良的原因作了分析,并与槽焊法结果作了对比。     

形成SOI结构的ELO技术研究

本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.     

钨条中掺杂泡的研究

研究了钨条中掺杂泡与钾含量的关系及其对钨条熔断电压的影响。结果表明,垂熔钨条中掺杂泡的面密度随钾含量的增加而增加,当钾含量小于70ppm时尤为明显;微量钾在垂熔过程中形成大量掺杂泡,使钨条有效导电面积减小;第一次还原温度对钨条的熔断电压值有显著影响,这是钨粉原始粒度和钨条中钾含量共同作用的结果,钨粉的费氏粒度、钾含量及熔断电压三者的关系是:V=9.601+6.856×10~(-2)+2.086F;通过热力学计算,认为高温状态下掺杂泡内的钾可能以双原子(K_2)气态存在。     

兰钨相组成对钨粉粒度的影响

只含铵钨青铜(ATB)和W_(20)O_(53)两相的兰钨在一定的工艺条件下被还原成钨粉。兰钨中ATB(或W_(20)O_(53))的含量对钨粉粒度有明显的影响。兰钨中ATB含量越多,所得到的钨粉越粗。     

TMS320C6211与PCI控制芯片的接口设计

针对数字图像处理要求运算量大，实时性强的特点，设计基于PCI总线的DSP(数字信号处理器)图像处理卡可以快速实现各种图像算法，而PCI接口控制芯片与DSP之间的通信是该方法的焦点，在介绍PCI接口控制芯片AMCCS5933和TMS320C6211的主机通信接口(HPI）基础上，分析了二者之间的接口逻辑，并利用CPLD实现。实验结果表明，成功地解决了TMS320C6211与AMCCS5933之间的通信接口，满足了图像传输速度的要求。     

脉冲高电压液体灭菌技术的研究

介绍了脉冲高电压液体灭菌的实验研究工作，研究结果表明，利用脉冲高电压可以在常温条件下１００％地杀灭液体中的细菌，对液体体食品还能保持其色泽，品味不变、维生素、氨基酸等营养成份不受破坏，还对灭菌机理作了分析和探讨。     

SiC陶瓷／SiC陶瓷及SiC陶瓷／Ni基高温合金SHS焊接中的界面反应及 …

采用加压自蔓延高温合成（ＳＨＳ）焊接工艺,连接ＳｉＣ陶瓷／ＳｉＣ陶瓷以及ＳｉＣ民／Ｎｉ基高温合金,为了得到牢固的界面结合,实验了多种焊接配方,而且基于润湿性、亲合笥、ＳＨＳ起爆温度及界面反应的可能性等多方面的考虑,设计并实验了多层焊料配方、微观结构显示,液相反应产物对ＳｉＣ陶瓷的润湿性很好,液相能够渗入陶瓷的表面开孔之中,而且界面结合很好,成分分析证实,界面处发生了界面扩散,这有助于界面结合强度的     

工艺参数对SiC陶瓷热压反应连接强度的影响

采用Ag粉和Ti粉作为焊料，对再结晶SiC陶瓷进行热压反应连接。研究了2种工艺，其中工艺1与传统的扩散焊工艺相似，即分别在不同的焊接温度下保温一定的时间；而工艺2则是首先在某一较高温度下进行短时间的保温，以利于Ti与SiC母材发生适度的界面反应，促进界面结合，同时液相银的出现将显著缓解焊接应力，随后在另一相对较低的温度下保温较长时间，以利于Ag—Ti金属间化合物的形成，有利于提高接头的焊接强度和工作温度。结果表明，采用工艺2获得的接头抗弯强度较高，达到SiC陶瓷母材强度的73．4％。微观结构研究表明，在界面处生成了反应层，焊料产物主要由两种相相间组成。EDX分析结果表明，界面处发生了元素的互扩散。