一种用于PIR控制芯片的级联积分梳状滤波器

从级联积分梳状滤波器(CIC)的原理出发,考虑到红外热释电传感器(PIR)采集信号的频率变化范围,设计了用于PIR控制芯片并对PIR传感器采集信号进行滤波的CIC滤波器。在MODSIM中对滤波器电路进行仿真,结果表明,低通和高通达到设计指标。对流片后的样片进行测试,在0.5~7 Hz频率范围内有比较明显的带通效果,带通外的频率需要增大输入信号幅值才能触发。与国外同类PIR控制芯片PS206作对比,基本达到了PS206芯片的性能。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。     

采用分段线性补偿的基准电流源设计

介绍了一种高精度基准电流源.首先设计出不同温度系数的电流IPATA和IVBE的产生电路,然后分析线性补偿的基本原理,通过电流的减法运算,在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成对电流IPATA的分段线性补偿,从而获得温度系数较低的带隙基准电流源.仿真结果表明:在-42℃～120℃的温度范围内,该电路输出基准电流的温度系数小于10-5/℃.     

Above 700 V superjunction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth

Silicon superjunction power MOSFETs were fabricated with deep trench etching and epitaxial growth,based on the process platform of the Shanghai Hua Hong NEC Electronics Company Limited.The breakdown voltages of the fabricated superjunction MOSFETs are above 700 V and agree with the simulation.The dynamic characteristics,especially reverse diode characteristics,are equivalent or even superior to foreign counterparts.     

水位控制考核机制下乌江梯级水库优化调度策略分析

水位控制系数,是指水库实际运行水位在死水位以上的高度占水位可调最大变幅的比例,它既表征水库的蓄满程度、又反映发电水头的高低。基于水位控制系数的考核机制,为评价水电站调度运行水平提供了一种全新的方法,并已在中国华电集团公司全面推行。对基于水位控制考核机制的乌江梯级优化调度策略分析过程作了介绍,详细阐释了水位控制考核的原理,深入分析了新考核机制的特点,提出了乌江梯级水库相应的优化调度策略建议。     

dV/dt对IPM中IGBT栅极电路的影响分析

The effect of dV/dt on the IGBT gate circuit in IPM is analyzed both by simulation and experiment.It is shown that a voltage slope applied across the collector-emitter terminals of the IGBT can induce a gate voltage spike through the feedback action of the parasitic capacitances of the IGBT.The dV/dt rate,gate-collector capacitance, gate-emitter capacitance and gate resistance have a direct influence on this voltage spike.The device with a higher dV/dt rate,gate-collector capacitance,gate resistance and lower gate-emitter capacitance is more prone to dV/dt induced self turn-on.By optimizing these parameters,the dV/dt induced voltage spike can be effectively controlled.     

具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件. 漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好. 分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%. 该结构器件1dB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%. 同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.     

横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。     

VDMOS过温保护功能的实现

提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。