一种采用半导体致冷的集成大功率LED

介绍了一种采用半导体致冷技术散热的集成大功率发光二极管(LED),这种利用珀尔贴效应设计的大功率LED散热封装结构,不但可以从根本上解决大功率集成LED器件的散热问题,还可以使LED器件在高温、震荡等恶劣环境中正常工作.这样,既可拓宽LED的运用领域,又能有效延长大功率LED的寿命.采用该封装技术封装的白光LED,发光稳定,光衰小,寿命长.     

比较几种大功率LED封装基板材料

研究人员往往通过改变热沉材料、改进封装结构和散热结构等方式来解决大功率LED的散热问题。本文采用简化的等效封装模型,对几种基板材料的等效热阻进行计算,用计算结果来进行比较,从而选择出更为合适的可用于封装大功率LED的基板材料。     

低成本高精度多功能计量终端设计

介绍了基于MSP430F449超低功耗MCU和CS5460专用电能计量芯片组进行设计的,具有低功耗、低成本、高精度特性的电能计量计费终端技术.阐述了系统的组成结构、功能实现及相关的软、硬件模块设计.     

基于振动陀螺的动态零位校准及其误差补偿

根据固态振动陀螺输出信号和噪声特点对其构成的低成本惯性测量单元(IMU)的原始传感信号进行了快速小波滤波和灰色理论建模处理。运用累加生成操作(AGO)方法得到有规则的单值对应非线性函数,并获得陀螺零位输出在三维空间中的单值映射模型。以时间和温度为输入,根据灰色神经网络建立陀螺的漂移模型,对累加生成方法生成的单值对应非线性函数进行逼近,从而提高了动态测量精度。同时采用活动阈值融合算法,优化陀螺和加速度计动态测量数据。实验证明,上述方法和算法有效提高了系统测量精度。     

0.18 μm CMOS单电流源模式LVDS驱动器设计

设计了一款单电流源模式低电压差分信号(LVDS)驱动器.采用反馈控制电路,以降低工艺、电压和温度变化引起的输出电平波动,电路稳定在规定的范围内.采用0.18 μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,驱动器工作速率可以达到660 Mb/s,差分输出信号摆幅为320 mV.     

一种通用低成本大功率高亮度LED封装技术

提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度LED封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合，利用背面出光的LED芯片，倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基板上。由于在封装中引入了热膨胀过渡层，在保证良好热膨胀匹配的同时，热阻增加少。采用该封装技术封装的白光LED，发光稳定，光衰小，长期寿命高。     

LED封装的热控制优化设计

基于某型LED模块的实验结果,从热膨胀匹配、冷却技术的选择、发光效率、焊料及硅胶选择等方面对大功率LED的热控制问题进行了优化设计。实验结果表明,优化设计后的大功率LED的转换效率和光通量等指标都有了一定程度的改善。     

shark工作流及在电信资源调拨中的应用

讨论了工作流管理系统的现状、基本概念以及系统模型，阐述了基于shark工作流的资源调拨系统，并介绍了该系统在中国重庆电信公司的具体实现．该资源调拨系统对于有效管理和利用现有通信资源，改善我国电信行业中普遍存在的设备利用率低下的现象具有重要的实践意义．     

A1掺杂ZnO薄膜的XPS谱及电学性质研究

采用直流反应磁控溅射法在玻璃基底上用Zn(99.99%)掺杂Al(1.5%)靶制备出高质量的Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜.用X射线光电子能谱仪对退火处理后的薄膜进行了成分和元素的价态分析,并用Van der Pauw方法对样品的电学特性进行了测量.实验结果表明,Zn和Al元素都以氧化态的形式存在,O元素主要是以晶格氧和吸附氧的形式存在.AZO薄膜的电学性质受退火温度和氧氩比的影响较大.随着退火温度的升高,电阻率减小,载流子浓度和迁移率增大.随着氧氩比的增大,电阻率增大,迁移率减小.因此可得到用直流反应磁控溅射法制备AZO薄膜的最佳氧氩比和退火温度分别为0.3/27和400 ℃,在此条件下制备出的薄膜电阻率可低至10-4 Ω·cm,载流子浓度可达1020 cm-3.     

SiGe材料的组分表征研究与退火分析

采用固相扩散法在n-Si (100) 衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜.利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性.分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响.成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作.