溴素资源提取技术研究进展

综述了国内外溴素生产现状和海水提溴的方法。分别介绍了空气吹出法、水蒸气蒸馏法、离子交换吸附法、膜分离法、溶剂萃取法和沉淀法等几种海水提溴的方法,并比较了各种方法的优缺点。结合国内产业现状指出了我国溴素生产及加工的发展方向。     

β-溴乙基溴代苯合成工艺研究

β-溴代苯乙烷在路易斯酸的催化作用下,与不同比例的溴素在苯环上发生取代反应,生成一系列不同溴含量的β-溴乙基溴代苯。考察了催化剂种类、反应温度、反应时间等因素的影响。结果表明,以铁粉和锑粉为催化剂,在30℃条件下滴加溴素反应4 h,滴加完成后在30~40℃条件下反应6 h,所得产品纯度大于98%、收率达98.7%。     

用于35kV架空线路复合绝缘子串的引弧并联间隙的研究

针对35 kV架空线路因雷击造成的复合绝缘子损坏和导线断线等问题,进行了引弧并联间隙的研究,提出了引弧并联间隙的尺寸要求.大量的冲击和工频特性试验表明,引孤并联间隙能够有效保护复合绝缘子串和导线免受工频续流电弧的蚀烧;计算了线路的雷击跳闸率,建议在原线路绝缘的基础上适当提高线路绝缘距离后,再加装引弧并联间隙.     

SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布

热力学研究得出:当系统残余压力为100~10 Pa时,SiO2与碳反应在1465~1353 K以上即可生成Si和CO;在1329~1225 K以上即可生成SiC和CO;SiO2和还原剂碳及氟化铝在1464~1353 K以上反应生成SiF4和CO及铝。实验考察了真空低价氟化法炼铝过程中SiO2的分布。XRD表明:SiO2在低价氟化法炼铝过程中有五种走向:(1)被还原成SiC,存在于残渣相;(2)被还原为单质硅,再与还原出的铁生成硅铁,存在于残渣相;(3)SiO2与冰晶石生成铝硅酸盐进入气相中;(4)SiO2与冰晶石生成气态SiF4,再与冰晶石分解的氟化钠形成Na2SiF6进入冷凝相;(5)形成气态低价氧化硅,再在合适温度下分解为单质硅进入冷凝相。     

直接发泡法制备氧化铝多孔陶瓷

为了改善多孔氧化铝陶瓷的性能，考察了陶瓷悬浮液的固含量、造孔剂和其他添加剂种类对生坯体和烧结体机械强度的影响。发现固含量由53％减少至45％和40％时，机械强度大大降低。当向料浆中添加7％三种不同类型的淀粉时，气孔率没有明显提高；当用Al（OH）3替代30％的Al2O3时性能也没有改善。但采用直接发泡法制备多孔隔热陶瓷（Al2O3固含量53％，无添加剂），热导率与其他三种商用隔热陶瓷砖相比有优势，气孔率达到81％，机械强度达到15MPa。     

真空下从铝土矿提取铝的新工艺

利用低价铝的氟化物在高温下稳定,低温歧化分解可以得到金属铝的特性,用煤作还原剂,在真空条件下,从铝土矿中提取铝进行了初步实验研究.实验得到:在体系残余压力为300Pa～50Pa时,温度在1500K～1900K范围内都可以得到金属铝.此工艺也可以用于再生铝的回收、高纯铝的制备以及从低品位含铝原料中提取金属铝.     

PMU同步相量测量单元性能评价方法的探讨

通过分析IEEE Std 1344-1995(R2001)与IEEE Std 37.118-2005同步向量新旧两个标准,指出新标准在利用TVE分析PMU性能的过程中,由于一些概念及引用值标示不明确,使得应用中存在一定盲目性,并对问题进行了分析,提出了在TVE中加入概率统计的计算分析方法.该方法可以运用于PMU装置及各种动态测量装置或系统,还提出了对PMU装置瞬态条件下的性能评价应进一步补充完善的建议,为今后更好地执行和使用新标准提供参考.     

220kV母线差动保护误动事故分析

详细介绍一起220 kV变电站220 kV母线差动保护发生区外故障时误动的事故.通过分析现场故障录波数据,对保护装置和二次回路进行仔细检查和多次试验,发现误动原因为母差保护装置AC交流模件采样值异常.查明采样异常原因为二次输出滤高频回路中某微法电容漏电量过大.最后提出了相应的防范措施.     

歧化分解法真空冶金制备铝

利用低价氟化铝的歧化分解原理,用氧化铝和铝土矿进行了实验研究。得出:1673 K在系统压力小于150 Pa时用氧化铝、氟化铝与还原剂混合煤实验,可得到纯度为93.77%的金属铝;以焦碳作还原剂,铝土矿为原料在1 723 K进行了实验,得到纯度为95.13%的金属铝。     

真空冶金法用磷矿石制备红磷试验初探

利用真空冶金技术,在一定的真空度下,用焦炭作还原剂,对用磷矿石直接制备红磷进行了试验研究,得到了比较优化的试验条件,即真空度(即残压)为50～20 Pa,反应温度在1050～1200℃之间时,可以得到粉末状红磷.85.8%的红磷粒径在200 μm以下.